[发明专利]一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法

权利要求书

1.一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法，其特征在于：

a、利用MOCVD设备生长ZnO薄膜，在MOCVD的反应腔的上部将MO源与O源预先混合均匀后，然后在所述反应腔内完成ZnO薄膜的生长；

b、通过控制若干个MO源流量来进行若干组实验，生长完成后测量ZnO薄膜上若干个取样点的厚度，得到若干组实验数值的薄膜沉积率；

c、构建CFD数值模拟模型并利用上述若干个MO源流量进行数值模拟计算，监测上述若干个取样点的薄膜沉积率，得到若干组模拟数值的薄膜沉积率；

d、实验数值的薄膜沉积率和模拟数值的薄膜沉积率对比，数值模拟结果和实验结果拟合后，验证数值模拟结果的正确性；

e、进行实验设计，通过控制MO源流量，随机选取若干组初始值，利用若干组MO源流量输入进行数值模拟，得到相应的若干组薄膜沉积率输出；

f、利用上述若干组MO源流量输入和薄膜沉积率输出构建神经网络数学模型，得到输入和输出之间的对应关系；

g、将所述的神经网络数学模型和遗传算法相结合，利用遗传算法进行工艺参数寻优，找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤b中，所述若干个MO源流量为至少5个，所述若干组实验数值为至少十组，所述若干个取样点为至少9个。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤c中，所述若干组模拟数值为至少十组。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤e中，所述若干组初始值、若干组MO源流量输入和若干组薄膜沉积率输出都为至少100组。