[发明专利]防止存储单元数据遗失的方法

权利要求书

1.一种防止存储单元数据遗失的方法，其特征在于，该存储单元包括具有半导体基底的晶体管，而半导体基底上成型有源极、漏极与位于源极、漏极之间的通道，且于通道上成型有堆叠状的浮置栅极、控制栅极，并于该浮置栅极二侧表面与相对的半导体基底、控制栅极间分别成型有隧穿氧化层，其防止存储单元的电子数据遗失的步骤为：

(A)先对浮置栅极进行清除作业；

(B)使用低于正常写入的微弱电场，将少许电子注入浮置栅极内部；

(C)而于浮置栅极内部保持少许电子，则源极与漏极之间通道导通；

(D)且浮置栅极内部少许电子与二侧隧穿氧化层内部电子形成相互排斥，避免电子累积在二侧隧穿氧化层内，以供正常读取浮置栅极内部的数据；以及

(E)再利用正常写入电场对浮置栅极注入正常电子，即阻止源极与漏极间的通道导通，则将数据写入浮置栅极内。

2.根据权利要求1所述防止存储单元数据遗失的方法，其中该步骤(A)中，针对浮置栅极进行清除(Erase)作业，是于控制栅极(Control Gate，CG)施加〔9～12〕伏特(V)的电压，并于源极(Source，S)施予〔6〕伏特(V)电压，则读取浮置栅极(Floating Gate，FG)的状态为“1”。

3.根据权利要求1所述防止存储单元数据遗失的方法，其中该步骤(B)及步骤(E)中，是采用通道热电子编成〔CHE〕或〔Flowler-Nordheim，FN〕通道法，将预定电子量注入浮置栅极(Floating Gate，FG)内部。

4.根据权利要求1所述防止存储单元数据遗失的方法，其中该步骤(E)中，针对浮置栅极进行写入(Program)作业，则于控制栅极(Control Gate，CG)施加12伏特(V)的电压，并于漏极(Drain，D)施予7伏特(V)电压，则写入后的浮置栅极(Floating Gate，FG)的状态为“0”。