[发明专利]像素驱动电路及其驱动方法、阵列基板、显示面板、显示装置有效

专利信息
申请号: 201610853205.3 申请日: 2016-09-26
公开(公告)号: CN107870489B 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 韩承佑;商广良 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G09G3/36;G09F9/30;G09G3/20
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 胡萌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路 及其 方法 阵列 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:

第一栅线、第二栅线和数据线;

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一栅线相连,所述第一薄膜晶体管的源极与所述数据线相连,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极相连;所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二栅线相连;

存储电容,所述存储电容的第一极板与所述第二薄膜晶体管的漏极相连,所述存储电容的第二极板接入公共电压;

所述第一薄膜晶体管用于,在第一扫描时段内,在第一电压的控制下持续打开;及,在第二扫描时段内,在第一电压脉冲的控制下打开,在第一电压脉冲以外的时间关闭;

所述第二薄膜晶体管用于,在第一扫描时段内,在第一电压脉冲的控制下打开,在第一电压脉冲以外的时间关闭;及,在第二扫描时段内,在第一电压的控制下持续打开。

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为氧化物薄膜晶体管。

3.一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法适用于权利要求1或2所述的像素驱动电路;所述像素驱动电路的驱动过程包括多个交替出现的第一扫描时段和第二扫描时段;所述驱动方法包括:

在所述第一扫描时段的时间内,通过所述像素驱动电路的第一栅线持续向所述像素驱动电路的第一薄膜晶体管的栅极施加第一电压,使所述第一薄膜晶体管打开;并通过所述像素驱动电路的第二栅线向所述像素驱动电路的第二薄膜晶体管的栅极施加一第一电压脉冲,在该脉冲以外的时间,通过所述第二栅线持续向所述第二薄膜晶体管的栅极施加第二电压,使所述第二薄膜晶体管在该脉冲以内的时间打开,在该脉冲以外的时间关闭;

在所述第二扫描时段的时间内,通过所述第二栅线持续向所述第二薄膜晶体管的栅极施加第一电压,使所述第二薄膜晶体管打开;并通过所述第一栅线向所述第一薄膜晶体管的栅极施加一第一电压脉冲,在该脉冲以外的时间,通过所述第一栅线持续向所述第一薄膜晶体管的栅极施加第二电压,使所述第一薄膜晶体管在该脉冲以内的时间打开,在该脉冲以外的时间关闭;

其中,所述第一电压的极性与所述第二电压的极性相反。

4.根据权利要求3所述的像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法还包括:相邻的第一扫描时段和第二扫描时段之间具有一空白时段,在所述空白时段内,通过所述第一栅线向所述第一薄膜晶体管的栅极施加第二电压,并通过所述第二栅线向所述第二薄膜晶体管的栅极施加第二电压,使所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管同时关闭。

5.根据权利要求4所述的像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,所述空白时段的持续时间为0.1μs~10000μs。

6.根据权利要求3所述的像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管,所述第一电压为正向偏置电压,所述第二电压为负向偏置电压。

7.一种阵列基板,包括矩阵式排布的多个像素单元,其特征在于,每个所述像素单元包括:

如权利要求1或2所述的像素驱动电路;

像素电极和公共电极线,所述像素电极和所述公共电极线相对应的部分形成所述像素驱动电路的存储电容,所述像素电极与所述像素驱动电路的第二薄膜晶体管的漏极相连,所述公共电极线用于传输公共电压。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,同一行所述像素单元的像素驱动电路共用一条所述第一栅线、一条所述第二栅线和一条所述公共电极线;同一列所述像素单元的像素驱动电路共用一条所述数据线。

9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求7或8所述的阵列基板。

10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求9所述的显示面板。

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