[发明专利]传输腔室及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201610854406.5 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871682A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 宋瑞智 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传输 半导体 加工 设备 | ||
1.一种传输腔室，其特征在于，包括腔体和进气装置，所述进气装置包括加热单元，所述加热单元用于加热进入所述腔体的空气，以降低所述空气中的水汽含量。
2.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述加热单元包括加热本体和多个电阻丝加热器；
多个所述电阻丝加热器设置在所述加热本体上，且在阻挡所述空气流向的平面上间隔设置。
3.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述进气装置还包括扩散腔本体，所述扩散腔本体的进气端和排气端分别与所述加热单元和所述腔体相连通。
4.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述传输腔室还包括设置在所述腔体内的温度检测单元；
所述温度检测单元用于检测所述腔体内的温度。
5.根据权利要求4所述的传输腔室，其特征在于，所述腔室还包括温度控制器，所述温度控制器与所述温度检测单元相连；
所述温度检测单元还用于将检测到的温度发送至所述温度控制器；
所述温度控制器用于根据所述温度检测单元检测到的当前温度和预设温度控制所述加热单元加热。
6.根据权利要求5所述的传输腔室，其特征在于，所述预设温度的范围为35℃-40℃。
7.根据权利要求4所述的传输腔室，其特征在于，还包括设置在所述腔体内的湿度检测单元，
所述湿度检测单元用于检测所述腔体内的湿度。
8.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述进气装置还包括过滤网；
所述过滤网设置在所述进气装置的进气口和所述加热单元之间，用于过滤自所述进气装置的进气口进入的空气。
9.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述进气装置还包括吸气单元，用于将外界空气吸入所述进气装置。
10.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述进气装置安装在所述腔体的顶壁上。
11.根据权利要求10所述的传输腔室，其特征在于，所述腔体的底壁上还设置有排气口，所述排气口用于与排气装置相连，以将所述腔体内的空气排出。
12.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-11任意一项所述的传输腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
