[发明专利]上转换发光材料的制造方法

权利要求书

1.一种上转换发光材料的制造方法，其特征在于，上转换发光材料应用于硅基太阳能电池中，所述上转换发光材料的形成工艺和制造所述硅基太阳能电池的微电子工艺相兼容，所述上转换发光材料由采用包括如下步骤形成的稀土掺杂硫氧化物组成：

步骤一、提供多靶磁控溅射设备；

步骤二、在所述多靶磁控溅射设备的共溅射反应室中安装多个靶材，靶材根据所要形成的所述稀土掺杂硫氧化物进行选取，包括：

所述稀土掺杂硫氧化物的硫氧化物基质材料对应的基质稀土氧化物靶和基质稀土硫化物靶，所述稀土掺杂硫氧化物的稀土掺杂材料对应的掺杂稀土靶；

所述稀土掺杂硫氧化物的硫氧化物基质材料为硫氧化镧、硫氧化钇、硫氧化钆或硫氧化镥，硫氧化镧基质材料对应的靶材包括氧化镧靶和硫化镧靶，硫氧化钇基质材料对应的靶材包括氧化钇靶和硫化钇靶，硫氧化钆基质材料对应的靶材包括氧化钆靶和硫化钆靶，硫氧化镥基质材料对应的靶材包括氧化镥靶和硫化镥靶；

所述上转换发光材料的稀土掺杂硫氧化物薄膜材料的稀土掺杂材料为铕、铽或镱；铕掺杂材料对应的靶材为铕靶，铽掺杂材料对应的靶材为铽靶，镱掺杂材料对应的靶材为镱靶；

步骤三、将衬底放入到所述共溅射反应室的基片座上；

步骤四、将对所述共溅射反应室进行抽真空；

步骤五、通入溅射气体并进行溅射工艺在所述衬底表面形成所述稀土掺杂硫氧化物，所述溅射工艺的衬底温度为室温～400摄氏度。

2.如权利要求1所述的上转换发光材料的制造方法，其特征在于：所述稀土掺杂硫氧化物的硫氧化物基质材料对应靶材还包括基质稀土靶。

3.如权利要求2所述的上转换发光材料的制造方法，其特征在于：所述稀土掺杂硫氧化物的硫氧化物基质材料为硫氧化镧、硫氧化钇、硫氧化钆或硫氧化镥，硫氧化镧基质材料对应的靶材包括镧靶、氧化镧靶和硫化镧靶，硫氧化钇基质材料对应的靶材包括钇靶、氧化钇靶和硫化钇靶，硫氧化钆基质材料对应的靶材包括钆靶、氧化钆靶和硫化钆靶，硫氧化镥基质材料对应的靶材包括镥靶、氧化镥靶和硫化镥靶。

4.如权利要求1所述的上转换发光材料的制造方法，其特征在于：步骤四中将所述共溅射反应室的真空抽到本底真空度优于4.0×10^-4Pa。

5.如权利要求1所述的上转换发光材料的制造方法，其特征在于：步骤五中所述溅射气体为氩气。

6.如权利要求所述1或2或3的上转换发光材料的制造方法，其特征在于：步骤五中所述溅射工艺的溅射功率为：200W～1000W；溅射压强为：0.1Pa～10Pa。

7.如权利要求所述1或2或3的上转换发光材料的制造方法，其特征在于：在步骤五的所述溅射工艺中还包括通入氧气或硫化氢气。

8.如权利要求所述1或2或3的上转换发光材料的制造方法，其特征在于：所述衬底包括透明导电玻璃片或单晶硅片。