[发明专利]一种逆磁性硫系磁旋光玻璃及其制备方法有效
| 申请号： | 201610854843.7 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106477882B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 彭波;许彦涛;郭海涛;陈岗;陆敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C03C4/00 | 分类号： | C03C4/00;C03C3/32 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁旋光玻璃 制备 硫系 光电功能材料 温度补偿系统 远红外波段 玻璃 磁光器件 器件结构 温度无关 原料组成 远红外 波段 逆磁 覆盖 应用 | ||
1.一种逆磁性硫系磁旋光玻璃，其特征在于：原料组成及摩尔质量分数为：60-80％的GeS2、15-20％的In2S3和5-25％的PbI2。
2.根据权利要求1所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃，其特征在于：原料组成及摩尔质量分数为：60-68％的GeS2、15-17％的In2S3和15-25％的PbI2。
3.根据权利要求2所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃，其特征在于：原料组成及摩尔质量分数为：60％的GeS2、15％的In2S3和25％的PbI2。
4.一种逆磁性硫系磁旋光玻璃的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1】按照以下摩尔质量分数配比准确称量原料：60-80％的GeS2、15-20％的In2S3和5-25％的PbI2；
2】将原料放置于石英管中，抽真空后封口；
3】将封口后的石英管在900-1000℃的温度下熔制12-24小时；
4】熔制完成后降温至880℃，将石英管置于室温的水中淬冷后转移至退火炉中进行退火处理；
5】退火完成后，将石英管破开或者用氢氟酸腐蚀石英管得到逆磁性硫系磁旋光玻璃。
5.根据权利要求4所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制备方法，其特征在于：步骤1】中的原料摩尔质量分数配比为：60-68％的GeS2、15-17％的In2S3和15-25％的PbI2。
6.根据权利要求5所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制备方法，其特征在于：步骤1】中的原料摩尔质量分数配比为：60％的GeS2、15％的In2S3和25％的PbI2。
7.根据权利要求4-6中任一所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制备方法，其特征在于：步骤3】中的熔制温度为970℃，熔制时间为15小时。
8.根据权利要求7所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制备方法，其特征在于：步骤3】中的石英管是在摇摆炉中进行熔制。
9.根据权利要求8所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制备方法，其特征在于：步骤4】中是将淬冷后的石英管转移至已升至退火温度的退火炉中，保温2小时，然后用12小时降至室温。
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