[发明专利]基于阻变存储单元的逻辑运算器及利用其实现二元布尔逻辑运算的方法

权利要求书

1.一种基于阻变存储单元的逻辑运算器，其特征是：由一个阻变存储单元M和一个开关S组成；

所述的阻变存储单元包括第一电极T1、第二电极T2和中间层，中间层位于第一电极与第二电极之间；在写入电压激励下所述阻变存储单元表现出高低阻态之间的转变和记忆特性，定义高阻态对应的写入电压为V_H，低阻态对应的写入电压为V_L；

工作状态时，写入电压施加在T1端，T2端串联S后构成回路；

将T1端的写入电压以及S的开合状态作为两个逻辑输入端，将M的高低阻态作为逻辑输出端，输入逻辑值与输出逻辑值定义如下：

T1端的输入逻辑值与写入电压的对应关系：输入逻辑值0对应写入电压V_H，输入逻辑值1对应写入电压V_L；

S的输入逻辑值与其物理状态的对应关系：输入逻辑值0对应S闭合，输入逻辑值1对应S断开；

输出逻辑值与M的高低阻态的对应关系：输出逻辑值0对应M的高阻态,输出逻辑值1对应M的低阻态。

2.如权利要求1所述的基于阻变存储单元的逻辑运算器，其特征是：所述的阻变存储单元既可以是单电压极性操作的阻变存储单元，又可以是双电压极性操作的阻变存储单元。

3.利用权利要求1所述的基于阻变存储单元的逻辑运算器实现二元布尔逻辑运算的方法，其特征是：一次写入操作(W)包括S的断开或者闭合与T1端的电压写入；

在一次写入操作中，设定0、1、p、q或为S和T1端的输入逻辑值，p＝0或者1，q＝0或者1，符号表示取反操作，即

逻辑运算True的运算规则为：

在第一次写入操作(W1)中，0和1分别输入到S和T1端。

4.利用权利要求1所述的基于阻变存储单元的逻辑运算器实现二元布尔逻辑运算的方法，其特征是：一次写入操作(W)包括S的断开或者闭合与T1端的电压写入；

在一次写入操作中，设定0、1、p、q或为S和T1端的输入逻辑值，p＝0或者1，q＝0或者1，符号表示取反操作，即

逻辑运算False的运算规则为：

在第一次写入操作(W1)中，0和0分别输入到S和T1端。

5.利用权利要求1所述的基于阻变存储单元的逻辑运算器实现二元布尔逻辑运算的方法，其特征是：一次写入操作(W)包括S的断开或者闭合与T1端的电压写入；

在一次写入操作中，设定0、1、p、q或为S和T1端的输入逻辑值，p＝0或者1，q＝0或者1，符号表示取反操作，即

逻辑运算p的运算规则为：

在第一次写入操作(W1)中，0和p分别输入到S和T1端。

6.利用权利要求1所述的基于阻变存储单元的逻辑运算器实现二元布尔逻辑运算的方法，其特征是：一次写入操作(W)包括S的断开或者闭合与T1端的电压写入；

在一次写入操作中，设定0、1、p、q或为S和T1端的输入逻辑值，p＝0或者1，q＝0或者1，符号表示取反操作，即

逻辑运算q的运算规则为：

在第一次写入操作(W1)中，0和q分别输入到S和T1端。

7.利用权利要求1所述的基于阻变存储单元的逻辑运算器实现二元布尔逻辑运算的方法，其特征是：一次写入操作(W)包括S的断开或者闭合与T1端的电压写入；

在一次写入操作中，设定0、1、p、q或为S和T1端的输入逻辑值，p＝0或者1，q＝0或者1，符号表示取反操作，即

逻辑运算NOT p的规则如下：

在第一次写入操作(W1)中，0和分别输入到S和T1端。

8.利用权利要求1所述的基于阻变存储单元的逻辑运算器实现二元布尔逻辑运算的方法，其特征是：一次写入操作(W)包括S的断开或者闭合与T1端的电压写入；

在一次写入操作中，设定0、1、p、q或为S和T1端的输入逻辑值，p＝0或者1，q＝0或者1，符号表示取反操作，即

逻辑运算NOT q的规则如下：

在第一次写入操作(W1)中，0和分别输入到S和T1端。