[发明专利]一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法

权利要求书

1.一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液，其特征在于：其重量百分比组成如下： 硝酸8~15%，硫酸5~15%，醋酸5%或15-20%，添加剂0.01~1%，余量为水，所述添加剂选自硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠、磷酸二氢钠、磷酸钾、醋酸钾、硫酸钾、磷酸二氢钾和焦磷酸钾中的任意一种。

2.一种权利要求1所述的用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：

（1）按比例在混配釜中加入电子级硫酸；

（2）在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级硝酸，并循环30 min；

（3）在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级醋酸，并循环30 min；

（4）在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂和余量水，并循环5h；

（5）将混合液体采用0.1μm过滤器进行过滤后得到ITO-Ag-ITO蚀刻液。