[发明专利]具有可调节的触发阈值的静电放电保护装置有效
申请号: | 201610860938.X | 申请日: | 2016-09-21 |
公开(公告)号: | CN107293539B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | M·罗维瑞;A·弗罗伦斯 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 调节 触发 阈值 静电 放电 保护装置 | ||
1.一种用于保护电路防止静电放电的装置(210),包括:
第一二极管(211)和第二二极管(212),串联连接在所述装置的第一连接端子(N1)和第二连接端子(N2)之间;
第三连接端子(N3),耦合到所述第一二极管(211)与所述第二二极管(212)之间的连结点并且连接到所述电路的输入/输出节点;和
电容器(213),与所述第一二极管(211)和所述第二二极管(212)并联连接在所述第一连接端子(N1)和所述第二连接端子(N2)之间;和
其中所述第二连接节点连接到所述电路的接地节点,并且其中所述第一连接端子被耦合以接收偏置电压,所述偏置电压与所述电路的所述输入/输出节点、所述接地节点或电源电压节点处的电压不同。
2.根据权利要求1所述的装置(210),其中所述第一二极管(211)被正向连接在所述第二连接端子(N2)和所述第三连接端子(N3)之间,并且所述第二二极管(212)被正向连接在所述第三连接端子(N3)和所述第一连接端子(N1)之间。
3.根据权利要求1所述的装置(210),其中,所述电容器(213)具有连接到所述第一连接端子(N1)的第一电极和连接到所述第二连接端子(N2)的第二电极。
4.根据权利要求1所述的装置(210),包括用于封装所述第一二极管(211)和所述第二二极管(212)以及所述电容器(213)的封装体,所述封装体暴露出所述装置的所述第一连接端子(N1)、所述第二连接端子(N2)和第三连接端子(N3)。
5.一种系统,包括集成电路(100)和用于保护所述集成电路(100)的根据权利要求1所述的装置(210)。
6.根据权利要求5所述的系统,其中所述集成电路(100)包括施加电源电势(VDD)的第一端子(101)、施加参考电势(GND)的第二端子(102)以及第三输入/输出端子(103),所述装置(210)的所述第二连接端子(N2)和所述第三连接端子(N3)分别耦合到所述集成电路(100)的所述第二端子(102)和所述第三端子(103),并且所述装置(210)的所述第一连接端子(N1)被耦合到施加DC偏置电势(VDD;VBIAS)的端子(101;301)。
7.根据权利要求6所述的系统,其中所述装置(210)的所述第一连接端子(N1)被耦合到所述集成电路(100)的所述第一端子(101)。
8.根据权利要求6所述的系统,其中所述装置(210)的第一连接端子(N1)被耦合到施加不同于所述电源电势(VDD)的DC偏置电势(VBIAS)的端子(301)。
9.一种系统,包括:
集成电路,具有高电源端子、信号端子和低电源端子;以及
用于保护所述集成电路的装置,包括:
第一二极管和第二二极管,串联连接在偏置节点和所述低电源端子之间;
位于所述第一二极管和所述第二二极管之间的连结点,连接到所述信号端子;和
电容器,与所述第一二极管和所述第二二极管并联连接并且位于所述偏置节点和所述低电源端子之间;并且
其中所述偏置节点被耦合以接收与所述集成电路的所述高电源端子、所述信号端子或所述低电源端子中的任一端子处的电压不同的偏置电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的