[发明专利]支持大于4GB非线性闪存的方法及装置

权利要求书

1.一种支持大于4GB非线性闪存的方法，其特征在于，应用于VxWorks系统，包括：

将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到2⁶⁴字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到2⁶⁴；其中，所述非线性闪存NAND FLASH的框架为dosFS+TrueFFS；

接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；

根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；

当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存；

所述将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到2⁶⁴字节，将所述NANDFLASH芯片的寻址空间扩大到2⁶⁴，包括：

将结构体中的芯片容量chipSize成员类型设置为long long类型；

将所述NAND FLASH芯片的地址偏移的类型设置为unsigned long long类型。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

将VxWorks系统支持的文件系统dosFS的扇区大小的位数设置为与NAND FLASH芯片的页大小相等的值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

将所述NAND FLASH芯片的驱动所支持的最大容量设置为与所述NAND FLASH芯片实际大小相等的值，所述NAND FLASH芯片实际大小大于4GB。

4.一种支持大于4GB非线性闪存的装置，其特征在于，包括：

设置模块，用于将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到2⁶⁴字节，将所述NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到2⁶⁴；其中，所述非线性闪存NAND FLASH的框架为dosFS+TrueFFS；

接收模块，用于接收第一指令，所述第一指令为读指令或者写指令；

判断模块，用于根据所述第一指令调用对应的函数，判断所述第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断所述第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，所述第一阈值大于32位；

访存模块，用于当所述第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且所述第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对所述NAND FLASH芯片进行访存；

所述设置模块具体用于将结构体中的芯片容量chipSize成员类型设置为long long类型；将所述NAND FLASH芯片的地址偏移的类型设置为unsigned long long类型。

5.根据权利要求4所述的支持大于4GB非线性闪存的装置，其特征在于，所述设置模块还用于将VxWorks系统支持的文件系统dosFS的扇区大小的位数设置为与NAND FLASH芯片的页大小相等的值。

6.根据权利要求4所述的支持大于4GB非线性闪存的装置，其特征在于，所述设置模块还用于将所述NAND FLASH芯片的驱动所支持的最大容量设置为与所述NAND FLASH芯片实际大小相等的值，所述NAND FLASH芯片实际大小大于4GB。