[发明专利]制造碳化硅单晶的装置和方法

权利要求书

1.一种制造碳化硅单晶(20)的装置，通过从由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶，该装置包括：

基部(9)，其具有第一侧和与第一侧相反的第二侧，籽晶安装于基部的第一侧上；以及

净化气体引入机构(11)，其用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部，其中

基部包括大直径部分(95a)和小直径部分(95b)，

小直径部分的直径小于大直径部分的直径，

小直径部分位于大直径部分的下面，以及

基部包括净化气体引入路径(95c)，所述净化气体引入路径(95c)从基部的第二侧向下延伸穿过大直径部分至小直径部分，然后在相对于基部的中心轴线径向向外的方向上延伸穿过小直径部分。

2.根据权利要求1的装置，其中

净化气体引入路径的出口指向相对于基部的中心轴线径向向外的方向，以使得净化气体从籽晶的外缘排出并且沿着基部的下表面流动。

3.根据权利要求1的装置，其中

净化气体是惰性气体，蚀刻气体，用于碳化硅的掺杂气体，或者惰性气体、蚀刻气体以及掺杂气体中的至少两种的混合气体。

4.根据权利要求1-3的任何一个的装置，其中

基部的表面由耐火金属碳化物涂覆。

5.一种制造碳化硅单晶(20)的装置，通过从由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶，该装置包括：

基部(9)，其具有第一侧和与第一侧相反的第二侧，籽晶安装于基部的第一侧上；以及

净化气体引入机构(11)，其用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部，其中

基部包括大直径部分(95a)和小直径部分(95b)，

小直径部分的直径小于大直径部分的直径，

小直径部分位于大直径部分的下面，

基部包括净化气体引入路径(95c)，所述净化气体引入路径(95c)从基部的第二侧向下延伸穿过大直径部分至小直径部分，然后在相对于基部的中心轴线径向向外的方向上延伸穿过小直径部分，

基部包括护盖部分(95d)，所述护盖部分(95d)包括连接到大直径部分的第一端和朝向小直径部分成角度的第二端，以及

护盖部分的第二端与小直径部分间隔开，以使得流过净化气体引入路径的净化气体通过护盖部分与小直径部分之间的间隙排出。

6.根据权利要求5的装置，其中

净化气体引入路径的出口指向相对于基部的中心轴线径向向外的方向，以使得净化气体从籽晶的外缘排出并且沿着基部的下表面流动。

7.根据权利要求5的装置，其中

净化气体是惰性气体，蚀刻气体，用于碳化硅的掺杂气体，或者惰性气体、蚀刻气体以及掺杂气体中的至少两种的混合气体。

8.根据权利要求5-7的任何一个的装置，其中

基部的表面由耐火金属碳化物涂覆。