[发明专利]一种信号采集电路及信号采集器

权利要求书

1.一种信号采集电路，其特征在于，包括：

第一电流源、第二电流源、第三电流源、第四电流源、电源正极公共总线、电源负极公共总线、稳压管以及采样电阻；其中，

所述第一电流源、所述稳压管以及所述第二电流源串接在电源正极公共总线和电源负极公共总线之间，且所述稳压管连接在所述第一电流源以及所述第二电流源之间，所述稳压管的阴极通过所述第一电流源或所述第二电流源与所述电源正极公共总线连接；

所述第四电流源与采样电阻串联组成的支路，与所述第三电流源并联之后，连接在所述稳压管阳极端与电源正极公共总线之间，或者连接在所述稳压管阴极端与电源负极公共总线之间；

所述第三电流源连接采样信号负端，所述第四电流源连接采样信号正端，采样信号输出端连接至第四电流源与采样电阻的中间节点。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电流源和所述第二电流源为恒定电流源，所述第三电流源和所述第四电流源为受控电流源。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第三电流源包括：

箝位滤波电路、运算放大器、以及金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，其中，

所述采样信号负端的信号经所述箝位滤波电路输入所述运算放大器的正相输入端，所述稳压管阴极端连接所述运算放大器的反相输入端以及所述MOSFET的源极，所述运算放大器的输出端连接所述MOSFET的栅极，所述MOSFET的漏极连接电源。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第四电流源包括：

箝位滤波电路、运算放大器、金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET以及第一电阻，其中，所述采样信号正端的信号经所述箝位滤波电路输入所述运算放大器的正相输入端，所述稳压管阴极端经过所述第一电阻连接所述运算放大器的反相输入端以及所述MOSFET的源极，所述运算放大器的输出端连接所述MOSFET的栅极，所述MOSFET的漏极连接所述采样电阻。

5.根据权利要求3或4所述的电路，其特征在于，所述箝位滤波电路，包括：第二电阻、箝位桥臂以及滤波电容，其中，所述箝位桥臂连接在所述稳压管阳极端和所述稳压管阴极端之间，所述箝位桥臂的中点、所述第二电阻的一端以及所述滤波电容的一端均与所述运算放大器的正相输入端连接，所述电容的另一端与所述稳压管阴极端连接，所述第二电阻的另一端为采样信号输入端。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述箝位桥臂包括：两个同向串联连接的二极管。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述信号采集电路还包括：稳压电容，所述稳压电容与所述稳压管并联连接。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述信号采集电路还包括：模数变换器，用于将所述采样信号输出端输出的模拟信号转换为数字信号。

9.一种信号采集器，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1-7中任一项所述的信号采集电路、模拟选通电路以及模数变换器，其中，所述模拟选通电路的一端连接所述至少一个信号采集电路的输出端，所述模拟选通电路的另一端连接所述模数变换器；

所述模拟选通电路，用于在所连接的至少一个信号采集电路中选择要采集的信号，并将采集到的采样信号发送至所述模数变换器；

所述模数变换器，用于将接收到的采样信号转换为数字信号。

10.根据权利要求9所述的信号采集器，其特征在于，所述模拟选通电路包括：数据选择器。