[发明专利]半导体元件的清洗用液体组合物及半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种清洗用液体组合物，其抑制包含钴元素的材料和包含铜元素的材料的腐蚀，并且将氮化钛硬掩模去除，所述清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0003～0.005质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.00005～0.5质量％的具有13族元素的化合物、以及水，所述具有13族元素的化合物为选自由硫酸铝、氯化铝及乳酸铝组成的组中的1种以上。

2.根据权利要求1所述的清洗用液体组合物，其中，所述氨基多亚甲基膦酸为选自由氨基三(亚甲基膦酸)、乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)及1,2-丙二胺四(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上。

3.根据权利要求1所述的清洗用液体组合物，其中，所述包含钴元素的材料为钴或钴合金，所述包含铜元素的材料为铜或铜合金。

4.一种清洗方法，其是抑制半导体元件中的包含钴元素的材料和包含铜元素的材料的腐蚀，并且将氮化钛硬掩模去除的半导体元件的清洗方法，所述半导体元件至少具有包含钴元素的材料和包含铜元素的材料和氮化钛硬掩模，

所述清洗方法包含使清洗用液体组合物和所述半导体元件接触的工序，所述清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0003～0.005质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.00005～0.5质量％的具有13族元素的化合物、以及水，所述具有13族元素的化合物为选自由硫酸铝、氯化铝及乳酸铝组成的组中的1种以上。

5.根据权利要求4所述的清洗方法，其中，所述氨基多亚甲基膦酸为选自由氨基三(亚甲基膦酸)、乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)及1,2-丙二胺四(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上。

6.根据权利要求4所述的清洗方法，其中，所述包含钴元素的材料为钴或钴合金，所述包含铜元素的材料为铜或铜合金。

7.一种半导体元件的制造方法，所述半导体元件具有包含钴元素的材料和包含铜元素的材料，

所述制造方法包含使用清洗用液体组合物，抑制所述包含钴元素的材料和包含铜元素的材料的腐蚀，并且将氮化钛硬掩模去除的工序，所述清洗用液体组合物包含1～30质量％的过氧化氢、0.01～1质量％的氢氧化钾、0.0003～0.005质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.00005～0.5质量％的具有13族元素的化合物、以及水，所述具有13族元素的化合物为选自由硫酸铝、氯化铝及乳酸铝组成的组中的1种以上。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述氨基多亚甲基膦酸为选自由氨基三(亚甲基膦酸)、乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)及1,2-丙二胺四(亚甲基膦酸)组成的组中的1种以上。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述包含钴元素的材料为钴或钴合金，所述包含铜元素的材料为铜或铜合金。