[发明专利]热电结构体、热电器件和其制造方法

权利要求书

1.制造热电结构体的方法，所述方法包括：

朝着靶发射激光以从所述靶分离构成所述靶的材料的至少第一和第二部分，所述靶包括碲(Te)；

基于在氧化物基底上沉积所述材料的第一部分而形成缓冲层，所述缓冲层包括氧化碲；和

基于在所述缓冲层上沉积所述材料的第二部分而形成薄膜结构体，所述薄膜结构体包括Te。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述发射激光包括发射脉冲激光，所述脉冲激光具有范围0.5Hz-4Hz的频率。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述发射激光包括使用氟化氪(KrF)准分子激光器设备发射激光。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述朝着靶发射激光包括使用所述激光向所述靶施加一定量的能量，所述能量的量等于或小于45mJ。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述形成薄膜结构体包括在一段流逝的时间内形成具有10nm-100nm厚度的薄膜结构体，该段流逝的时间等于或小于2小时。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述薄膜结构体在所述薄膜结构体的厚度方向上具有热导率，所述热导率范围为0.14W/(m·K)-0.3W/(m·K)。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述薄膜结构体具有等于或小于0.1度的通过进行欧米伽(ω)扫描获得的半宽度(FWHM)。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述靶进一步包括如下的至少一种：铋(Bi)、锑(Sb)、和硒(Se)。

9.如权利要求1所述的方法，其中，

所述薄膜结构体包括多个薄膜层，和

所述多个薄膜层在所述多个薄膜层各自的厚度方向上堆叠。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述多个薄膜层各自包括Bi_0.5Sb_1.5Te₃。

11.如权利要求1所述的方法，其中，

所述缓冲层包括：

在所述氧化物基底上的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氧化碲，和

在所述第一缓冲层上的第二缓冲层，所述第二缓冲层包括Te。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述缓冲层具有范围0.2nm-2nm的厚度。

13.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将所述薄膜结构体从所述缓冲层分离。

14.如权利要求13所述的方法，其进一步包括：

将分离的薄膜结构体放置在单独的基底上，所述单独的基底包括与氧化物基底不同的材料。

15.热电结构体，其包括：

氧化物基底；

在所述氧化物基底上的薄膜结构体，所述薄膜结构体包括碲(Te)；以及在所述氧化物基底和所述薄膜结构体之间的缓冲层，所述缓冲层包括氧化碲。

16.如权利要求15所述的热电结构体，其中所述薄膜结构体具有10nm-100nm的厚度。

17.如权利要求15所述的热电结构体，其中所述薄膜结构体在所述薄膜结构体的厚度方向上具有热导率，所述热导率范围为0.14W/(m·K)-0.3W/(m·K)。

18.如权利要求15所述的热电结构体，其中所述薄膜结构体具有等于或小于0.1度的通过进行欧米伽(ω)扫描获得的半宽度(FWHM)。

19.如权利要求15所述的热电结构体，其中所述薄膜结构体包括如下的至少一种：铋(Bi)、锑(Sb)、和硒(Se)。

20.如权利要求15所述的热电结构体，其中，

所述薄膜结构体包括多个薄膜层；和

所述多个薄膜层在所述多个薄膜层各自的厚度方向上堆叠。

21.如权利要求20所述的热电结构体，其中所述多个薄膜层各自包括Bi_0.5Sb_1.5Te₃。