[发明专利]一种Si-V发光的纳米金刚石晶粒及其制备方法

权利要求书

1.一种Si-V发光的纳米金刚石晶粒，其特征在于，所述Si-V发光的纳米金刚石晶粒按如下方法制备得到：

(1)对石英衬底进行纳米金刚石溶液超声振荡预处理，操作方法为：

将粒径100nm的纳米金刚石粉末以料液质量比1：50～150分散于去离子水中，得到纳米金刚石溶液，将石英衬底置于所得纳米金刚石溶液中，使用功率为200W的超声机超声振荡0.5～3h，之后将石英衬底依次置于去离子水、丙酮中，使用功率为200W的超声机分别进行超声清洗2min，最后干燥，备用；

(2)采用热丝化学气相沉积法，在经过步骤(1)预处理的石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，得到沉积于石英衬底上的Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜；

(3)通过超声振荡，将步骤(2)所得沉积于石英衬底上的Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜从石英衬底上剥离，并对剥离后的纳米金刚石薄膜继续进行超声振荡，将纳米金刚石薄膜震碎，即制得Si-V发光的纳米金刚石晶粒。

2.如权利要求1所述的Si-V发光的纳米金刚石晶粒，其特征在于，所述步骤(2)的操作方法为：

将经过步骤(1)预处理的石英衬底放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气A鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，氢气B、丙酮的流量比为200：90，热丝与石英衬底的距离为6～10mm，反应功率为1600～2000W，工作气压为1.63～2.63Kpa，薄膜生长时间为5～30min，在反应过程中不加偏压，薄膜生长结束后，在不通氢气B的条件下降温冷却至室温，即在石英衬底上制备得到纳米金刚石薄膜，再将其置于500～650℃的空气中保温10～50min，即制得沉积于石英衬底上的Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜。

3.如权利要求1所述的Si-V发光的纳米金刚石晶粒，其特征在于，所述步骤(3)的操作方法为：

将步骤(2)所得沉积于石英衬底上的Si-V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜浸没于去离子水中，使用功率为200W的超声机进行超声振荡0.5～1h，将纳米金刚石薄膜从石英衬底上剥离；移除石英衬底，之后对含有纳米金刚石薄膜的溶液继续进行超声震荡10～12h，即制备得到Si-V发光的纳米金刚石晶粒。

4.如权利要求1所述的Si-V发光的纳米金刚石晶粒，其特征在于，制得的Si-V发光的纳米金刚石晶粒尺寸在70～100nm，具有规则的晶型。