[发明专利]用于带隙电压基准电路的操作方法有效
申请号: | 201610871307.8 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN107885267B | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 杨家奇;邓志兵;黄正太 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电压 基准 电路 操作方法 | ||
1.一种用于带隙电压基准电路的操作方法,其特征在于,
所述带隙电压基准电路包括:
偏置电路,被配置为接收反馈信号,并根据反馈信号提供偏置信号,
放大器,用于接收所述偏置信号,并提供第一参考信号,所述第一参考信号还被作为反馈信号反馈到偏置电路,
输出电路,所述输出电路接收所述第一参考信号,并输出第二参考信号,以及
输出开关,将所述第二参考信号输出作为输出信号;
所述方法包括:
在所述带隙电压基准电路加电之后,在所述输出信号稳定的情况下,关断所述输出开关;
在关断所述输出开关之后,关断偏置电路;以及
在关断所述偏置电路之后,关断所述输出电路;
其中,所述输出电路包括第三PMOS晶体管、第二电阻、第三BJT晶体管、第五开关和第六开关;所述第三PMOS晶体管的栅极连接到所述放大器的输出端子,用于接收所述第一参考信号,所述第三PMOS晶体管的源极通过所述第五开关连接到电源电压VDD,所述第三PMOS晶体管的漏极连接到所述第二电阻的一端和所述输出开关的一端,用于输出第二参考信号;所述第二电阻的另一端连接到第三BJT晶体管的发射极;所述第三BJT晶体管的基极与集电极相连,并通过所述第六开关连接到电压VSS;其中,关断所述输出电路包括使所述输出电路掉电。
2.根据权利要求1所述的用于带隙电压基准电路的操作方法,其特征在于,
所述带隙电压基准电路还包括启动电路,用于在所述带隙电压基准电路被加电时,向所述偏置电路提供启动信号,
所述偏置电路还被配置为接收所述启动信号并根据所述启动信号产生偏置信号;
所述方法还包括:
在关断所述输出开关之后,在关断所述偏置电路之前,关断所述启动电路。
3.根据权利要求2所述的用于带隙电压基准电路的操作方法,其特征在于,其中所述启动电路被配置为:在所述带隙电压基准电路工作于期望的状态的情况下,其停止提供所述启动信号。
4.根据权利要求1所述的用于带隙电压基准电路的操作方法,其特征在于,还包括:
在关断所述输出电路之后,在所述输出信号衰减到满足预定条件时,重新启动所述偏置电路。
5.根据权利要求4所述的用于带隙电压基准电路的操作方法,其特征在于,还包括:
在所述偏置电路重新启动并使得所述放大器产生的第一参考信号稳定之后,重新启动所述输出电路,并重新启动所述输出开关。
6.根据权利要求1所述的用于带隙电压基准电路的操作方法,其特征在于,还包括以下中的至少一项:
a)关断所述输出开关包括使所述输出开关掉电或者向所述输出开关的控制端子提供控制信号使其关断;以及
b)关断偏置电路包括使所述偏置电路掉电。
7.根据权利要求2所述的用于带隙电压基准电路的操作方法,其特征在于:
关断所述启动电路包括使所述启动电路掉电。
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