[发明专利]差分驱动器电路和用于控制差分驱动器电路的方法

说明书

本发明描述了差分驱动器电路和用于控制差分驱动器电路的方法的实施例。差分驱动器电路的实施例可包括：电流导引电路，所述电流导引电路被配置成确定通过所述差分驱动器电路的差分输出端的电流方向；两个电阻器，所述两个电阻器连接在所述差分驱动器电路的所述差分输出端之间；以及第一半导体电路和第二半导体电路，所述第一半导体电路和第二半导体电路连接到所述两个电阻器之间的点。所述第一半导体电路和第二半导体电路为不同类型。所述第一半导体电路和第二半导体电路的源极端连接到所述两个电阻器之间的所述点。

技术领域

本发明涉及一种驱动器电路。

背景技术

差分通信接口可以用于高速内置集成电路(IC)通信。然而，在高速差分通信中，保持信号完整性和实现低误码率可以是具有挑战性的。例如，由于阻抗失配引起的信号反射、共模噪声和串扰可引起符号间干扰的增大并因此引起误码率的增大。主要由串扰和由于阻抗失配引起的信号反射而引起的共模噪声可产生高电磁辐射，该高电磁辐射降低了系统性能。

发明内容

本发明描述了差分驱动器电路和用于控制差分驱动器电路的方法的实施例。差分驱动器电路的实施例可包括：电流导引电路，该电流导引电路被配置成确定通过差分驱动器电路的差分输出端的电流方向；两个电阻器，该两个电阻器连接在差分驱动器电路的差分输出端之间；以及第一半导体电路和第二半导体电路，该第一半导体电路和第二半导体电路连接到两个电阻器之间的点。第一半导体电路和第二半导体电路为不同类型。第一半导体电路和第二半导体电路的源极端连接到两个电阻器之间的点。

在实施例中，两个电阻器的电阻值彼此相同。

在实施例中，第一半导体电路和第二半导体电路的栅极端连接到不同的偏压。在实施例中，第一半导体电路包括NMOS晶体管，第二半导体电路包括PMOS晶体管，并且NMOS晶体管的栅极端连接到第一偏压以及PMOS晶体管的栅极端连接到第二偏压。在实施例中，第一偏压和第二偏压之间的差值等于NMOS晶体管和PMOS晶体管的阈值电压的总和。在实施例中，第一偏压等于参考电压和NMOS晶体管的阈值电压的总和，并且第二偏压等于参考电压和PMOS晶体管的阈值电压之间的电压差。

在实施例中，第一半导体电路和第二半导体电路的漏极端连接到不同的供电电压。在实施例中，第一半导体电路包括NMOS晶体管，第二半导体电路包括PMOS晶体管，并且NMOS晶体管的漏极端连接到正供电电压以及PMOS晶体管的漏极端连接到接地。

在实施例中，电流导引电路被配置成基于互补信号确定通过差分驱动器电路的差分输出端的电流方向。在实施例中，电流导引电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管以及第二NMOS晶体管，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极端连接到互补信号，并且第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极端连接到互补信号。在实施例中，差分驱动器电路的差分输出端包括第一差分输出端和第二差分输出端，第一差分输出端连接到第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的漏极端，并且第二差分输出端连接到第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极端。在实施例中，差分驱动器电路另外包括电流源和电流吸收器，电流源连接到第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的源极端，并且电流吸收器连接到第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源极端。

在实施例中，差分驱动器电路为低压差分信令(LVDS)驱动器电路。在实施例中，差分驱动器系统包括：差分驱动器电路；互补信号生成电路，该互补信号生成电路被配置成生成用于差分驱动器电路的互补信号；以及偏压生成电路，该偏压生成电路被配置成生成用于差分驱动器电路的偏压。