[发明专利]发光元件、显示装置、电子设备及照明装置在审
| 申请号： | 201610872789.9 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107043358A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 濑尾哲史;渡部刚吉;光森智美 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C07D241/38 | 分类号： | C07D241/38;C07D405/10;C07D403/12;C09K11/06;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李志强,刘力 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 显示装置 电子设备 照明 装置 | ||
1.一种发光元件，包括：
客体材料；以及
主体材料，
其中，所述客体材料的LUMO能级比所述主体材料的LUMO能级低，
所述客体材料的所述LUMO能级和所述客体材料的HOMO能级之间的能量差比所述主体材料的所述LUMO能级和所述主体材料的HOMO能级之间的能量差大，
并且，所述客体材料将三重激发能量转换为发光。
2.一种发光元件，包括：
客体材料；以及
主体材料，
其中，所述客体材料的LUMO能级比所述主体材料的LUMO能级低，
所述客体材料的所述LUMO能级和所述客体材料的HOMO能级之间的能量差比所述主体材料的所述LUMO能级和所述主体材料的HOMO能级之间的能量差大，
所述客体材料将三重激发能量转换为发光，
并且所述客体材料的所述LUMO能级和所述主体材料的所述HOMO能级之间的能量差为从所述客体材料的吸收光谱的吸收端计算出的迁移能量以上。
3.一种发光元件，包括：
客体材料；以及
主体材料，
其中，所述客体材料的LUMO能级比所述主体材料的LUMO能级低，
所述客体材料的所述LUMO能级和所述客体材料的HOMO能级之间的能量差比所述主体材料的所述LUMO能级和所述主体材料的HOMO能级之间的能量差大，
所述客体材料将三重激发能量转换为发光，
并且，所述客体材料的所述LUMO能级和所述主体材料的所述HOMO能级之间的能量差为所述客体材料的发光能量以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述客体材料的所述LUMO能级和所述客体材料的所述HOMO能级之间的所述能量差比从所述客体材料的所述吸收光谱的所述吸收端算出的所述迁移能量大0.4eV以上。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述客体材料的所述LUMO能级和所述客体材料的所述HOMO能级之间的所述能量差比所述客体材料的所述发光能量大0.4eV以上。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述主体材料的单重激发能级和三重激发能级之差大于0eV且为0.2eV以下。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述主体材料能够在室温下呈现热活化延迟荧光。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述主体材料能够将激发能量供应到所述客体材料。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述主体材料的发光的发射光谱包括与所述客体材料的所述吸收光谱的最低能量一侧的吸收带重叠的波长区域。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述客体材料包含铱。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述客体材料能够发射光。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述主体材料能够传输电荷，
并且所述主体材料能够传输空穴。
13.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述主体材料包括缺π电子型芳杂环骨架，
并且所述主体材料包括富π电子型芳杂环骨架和芳香族胺骨架中的至少一个。
14.根据权利要求13所述的发光元件，
其中所述缺π电子型芳杂环骨架包括二嗪骨架和三嗪骨架中的至少一个，
并且所述富π电子型芳杂环骨架包括吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架和吡咯骨架中的至少一个。
15.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，
其中所述主体材料为以下述结构式(500)至结构式(503)中的任一个表示的化合物：
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610872789.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
