[发明专利]萘嵌间二氮杂苯衍生物及应用在审
申请号: | 201610872846.3 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN107880050A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 范洪涛;邢其锋;张伟;张向慧 | 申请(专利权)人: | 北京鼎材科技有限公司;固安鼎材科技有限公司 |
主分类号: | C07D487/16 | 分类号: | C07D487/16;C07F7/08;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
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地址: | 100192 北京市海淀区西小口路*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 萘嵌间二氮杂苯 衍生物 应用 | ||
1.一种通式化合物由如下通式(I)表示:
其中,
A1、A2分别独立选自C1~C12的烷基、C6~C60的取代或未取代的芳基、C10~C60的取代或未取代的稠环芳基;
所述取代的芳基具体指其取代基选自C1~C8的烷基、卤素、CN,或者选自Si(R1)3,该R1选自C1~C6的烷基;
所述和取代的稠环芳基具体指其取代基选自C1~C8的烷基、卤素、CN,或者选自Si(R2)3,该R2选自C1~C6的烷基。
2.根据权利要求1中所述的通式化合物,其中:
A1、A2分别独立选自C1~C6的烷基、C6~C30的取代或未取代的芳基、C10~C30的取代或未取代的稠环芳基;
所述取代的芳基具体指其取代基选自C1~C6的烷基、Cl、Br、CN,或者选自Si(CH3)3;
所述和取代的稠环芳基具体指其取代基选自C1~C6的烷基、Cl、Br、CN,或者选自Si(CH3)3。
3.根据权利要求1或2所述的通式化合物,其中,A1与A2相同。
4.根据权利要求1或2所述的通式化合物,其中:
A1、A2分别独立选自甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、异丙基、异丁基、叔丁基、环戊基、环己基、环庚基、亚乙基、亚丙基、亚丁基或亚戊基;
或者,A1、A2分别独立选自苯基、甲苯基、联苯基、萘基、菲基、荧蒽基、屈基、芘基、三亚苯基、蒽基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、茚并芴基。
5.根据权利要求1或2所述的通式化合物,选自下述具体结构式:
6.权利要求1或2所述的通式化合物在有机电致发光器件中用作空穴传输材料。
7.权利要求5所述的结构化合物在有机电致发光器件中用作空穴传输材料。
8.一种制备权利要求1或2所述通式化合物的方法,其特征在于,在氮气保护下,利用中间体M1与硼酸偶联反应得到目标化合物,所述中间体M1结构如下:
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