[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板极其制造方法和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一个电极的上表面上形成有多个第一凹槽，在形成有所述第一凹槽的电极时，通过调节沉积电极材料的腔室压力以获得表层密度低于下部密度的导电材料层，并通过腐蚀所述导电材料层的表层获得所述第一凹槽，且所述第一凹槽用于容纳形成电极的构图工艺中用到的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上表面形成有所述多个第一凹槽的电极包括主电极层和设置在所述主电极层上面的保护电极层，所述多个第一凹槽形成在所述保护电极层的上表面上。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护电极层包括设置在所述主电极层表面的第一保护电极层和设置在所述第一保护电极层表面的第二保护电极层，所述第二保护电极层的表面设置有所述第一凹槽，所述第二保护电极层的成分与所述第一保护电极层的成分相同，所述第二保护电极层的密度小于所述第一保护电极层的密度。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述主电极层的材料包括铜，所述第一保护电极层和所述第二保护电极层的材料包括钼铌合金。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，上表面形成有所述多个第一凹槽的电极还包括设置在所述主电极层下方的第三保护电极层，所述第三保护电极层的材料与所述第一保护电极层的材料相同。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极和所述漏电极的上表面均形成有所述第一凹槽。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括设置在所述源电极和所述漏电极下方的有源层，所述有源层为氧化物半导体。

8.一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1至7中任意一项所述的薄膜晶体管，所述阵列基板还包括多组电极线，多组电极线包括与所述栅电极同层设置的栅线和与所述源电极和所述漏电极同层设置的数据线，至少一组所述电极线的上表面形成有多个第二凹槽。

9.一种显示面板，所述显示装置包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求8所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线相交错将所述阵列基板划分为多个像素单元，每个像素单元内均设置有薄膜晶体管，其特征在于，所述制造方法包括形成第一图形的步骤和形成第二图形的步骤，所述第一图形包括所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极，所述第二图形包括所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形，形成所述第一图形和所述第二图形中的至少一者包括：

形成导电材料层；

在所述导电材料层的上表面上形成多个凹槽；

在形成有凹槽的导电材料层上涂敷光刻胶层；

对光刻胶进行曝光显影，以在所述导电材料层的上表面上形成遮挡图形；

对形成有遮挡图形的导电材料层进行刻蚀。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，形成导电材料层的步骤包括：

形成主导电材料层；

在所述主导电材料层上形成保护导电材料层；

在所述导电材料层的上表面形成多个凹槽的步骤包括在所述保护导电材料层的上表面上形成多个凹槽。

12.根据了要求11所述的制造方法，其特征在于，所述保护导电材料层包括第一保护导电材料层和第二保护导电材料层，形成保护导电材料层的步骤包括：

在所述主导电材料层的表面上形成第一保护导电材料层；

在所述第一保护导电材料层的表面上形成第二保护导电材料层，所述第一保护导电材料层的成分与所述第二保护导电材料层的成分相同，且所述第二保护导电材料层的密度小于所述第一保护导电材料层的密度；

在所述导电材料层的上表面形成多个凹槽的步骤包括在所述第二保护导电材料层的上表面上形成多个凹槽。