[发明专利]DIMM SSD寻址性能技术有效
申请号: | 201610877643.3 | 申请日: | 2016-10-08 |
公开(公告)号: | CN106776358B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 克雷格·汉森;伊恩·斯沃布里克;迈克尔·伯克曼;张志任 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F12/06 | 分类号: | G06F12/06 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;王兆赓 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dimm ssd 寻址 性能 技术 | ||
1.一种非易失性存储器装置,包括:
非易失性双列直插式存储器模块NVDIMM,被安装在双列直插式存储器模块DIMM插槽中,NVDIMM包括存储器和暴露的存储器,暴露的存储器包括暴露的存储器的第一大小和暴露的存储器的基地址;
装置驱动器,在主机处理器上操作,装置驱动器操作性地拦截去往主机存储器控制器的存储器地址并在发送到主机存储器控制器的请求下将所述存储器地址替换为预映射的存储器地址,预映射的存储器地址与所述存储器地址不同,
其中,暴露的存储器包括可直接访问的存储器。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,NVDIMM包括NVDIMM固态器件SSD。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,预映射的存储器地址被设计为使得主机存储器控制器响应于预映射的存储器地址而将目标存储器地址发送到NVDIMM,目标存储器地址包括被存储在所述存储器地址中的值的物理位置。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置,其中,装置驱动器操作性地响应于NVDIMM中的暴露的存储器的第一大小、NVDIMM中的暴露的存储器的基地址、NVDIMM中的暴露的存储器的逻辑段的第二大小和主机存储器控制器的存储器控制器操作模式,从所述存储器地址生成预映射的存储器地址。
5.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置,其中,预映射的存储器地址是第二预映射的存储器地址的别名,
其中,预映射的存储器地址与第二预映射的存储器地址不同,主机存储器控制器将预映射的存储器地址和第二预映射的存储器地址二者映射到目标存储器地址。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置,其中,预映射的存储器地址包括与第二预映射的存储器地址相关的至少一个变化位,所述至少一个变化位不影响从主机存储器控制器发送到NVDIMM的目标存储器地址。
7.一种操作非易失性存储器装置的方法,包括:
接收访问非易失性双列直插式存储器模块NVDIMM的存储器地址的请求,NVDIMM包括存储器和暴露的存储器,暴露的存储器包括暴露的存储器的第一大小和暴露的存储器的基地址;
将所述存储器地址预映射到中间地址,中间地址与所述存储器地址不同;
将中间地址发送到主机存储器控制器,
其中,主机存储器控制器将目标存储器地址发送到NVDIMM,目标存储器地址包括被存储在所述存储器地址中的值的物理位置。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,接收访问存储器地址的请求的步骤包括:接收访问NVDIMM固态器件SSD的存储器地址的请求。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,将所述存储器地址预映射到中间地址的步骤包括:响应于NVDIMM中的暴露的存储器的第一大小、NVDIMM中的暴露的存储器的基地址、NVDIMM中的暴露的存储器的逻辑段的第二大小和主机存储器控制器的存储器控制器操作模式,将所述存储器地址预映射到中间地址。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,将所述存储器地址预映射到中间地址的步骤包括:将所述存储器地址预映射到第二中间地址的别名,
其中,中间地址与第二中间地址不同,主机存储器控制器将中间地址和第二中间地址二者映射到目标存储器地址。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,将所述存储器地址预映射到中间地址的步骤包括:改变与第二中间地址有关的中间地址中的至少一位,改变的至少一位不影响从主机存储器控制器发送到NVDIMM的目标存储器地址。
12.根据权利要求7所述的方法,还包括:将暴露的存储器暴露给主机存储器控制器。
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