[发明专利]半导体发光器件

说明书

提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。

本申请要求于2015年11月3日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0153825号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

符合示例实施例的设备涉及一种半导体发光器件。

背景技术

半导体发光器件已经作为具有诸如相对长的寿命、低的功耗、快的响应速度和环保等的优点的下一代光源而为人所知。半导体发光器件已经作为在诸如照明装置、显示器的背光以及用于电子设备的光源的各种类型的产品中的重要的光源而变得突出。具体地，基于诸如GaN、AlGaN、InGaN或InAlGaN的第III族氮化物的氮化物基发光器件作为半导体发光器件在输出蓝光或紫外光方面起重要作用。

同时，量子效率随着注入的电流密度增大而降低的所谓的效率下降(efficiencydroop)作为基于第III族氮化物的氮化物半导体的问题被指出。因此，本领域需要改善半导体发光器件的量子效率的方法。

发明内容

本发明构思的一个或更多个示例实施例可以提供一种具有改善的光学输出和效率下降的半导体发光器件。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体发光器件可以包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含铟(In)的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层交替地堆叠在彼此上，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，其中，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括具有变化的量的In成分的至少一个分级层，第二量子阱层的所述至少一个分级层具有比第一量子阱层的所述至少一个分级层大的厚度。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体发光器件可以包括：第一导电型氮化物半导体层；有源层，设置在第一导电型氮化物半导体层上，并且具有包括氮化镓(GaN)的多个量子垒层以及包括In_xGa_1-xN(0<x≤1)的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层交替地堆叠在彼此上，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型氮化物半导体层，设置在有源层上并且具有包括Al_yGa_1-yN(0<y≤1)的电子阻挡层(EBL)，其中，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于EBL，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个可包括在朝着第二导电型半导体层的方向上具有增大的量的In成分的第一分级层以及在朝着第二导电型半导体层的方向上具有减小的量的In成分的第二分级层，其中，第二量子阱层的第一分级层和第二分级层中的至少一个具有比第一量子阱层的第一分级层和第二分级层中的相应的一个大的厚度。