[发明专利]三维非易失性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维非易失性存储器，包括：

一基底；

一堆叠结构，设置于该基底上，且包括：

多个第一介电层与多个栅极，其中所述第一介电层与所述栅极交替地堆叠；以及

多个电荷存储结构，设置于所述栅极的一侧，且相邻两个电荷存储结构借助位于其间的该第一介电层进行隔离，其中各该电荷存储结构包括依序设置于各该栅极的一侧的一第一氧化层、一氮化层与一第二氧化层，其中该第一氧化层和该氮化层是通过对覆盖于该第二氧化层的氮化硅材料层进行氧化而得到的，具体是对覆盖于该第二氧化层的氮化硅材料层进行氧化工艺，将部分所述氮化硅材料层转变成所述第一氧化层，且由所述氮化硅材料层的剩余部分形成所述氮化层；

一缓冲层，设置于各该栅极与各该电荷存储结构之间；以及

一沟道层，设置于该堆叠结构的邻近于所述电荷存储结构的侧壁上。

2.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其特征在于，该第一介电层的材料包括氧化硅。

3.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其特征在于，该第一氧化层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其特征在于，该第二氧化层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其特征在于，该沟道层的材料包括半导体材料。

6.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其特征在于，还包括一第二介电层，设置于该沟道层远离该堆叠结构的一侧。

7.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其特征在于，还包括一导体层，连接于该沟道层的上部。

8.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其特征在于，该缓冲层的材料包括高介电常数材料。

9.如权利要求1所述的三维非易失性存储器，其特征在于，还包括一阻挡层，设置于各该栅极与该缓冲层之间。

10.如权利要求9所述的三维非易失性存储器，其特征在于，该阻挡层的材料包括功函数金属材料。

11.一种三维非易失性存储器的制造方法，包括：

于一基底上形成一堆叠结构，其中该堆叠结构包括：

多个第一介电层与多个栅极，其中所述第一介电层与所述栅极交替地堆叠；以及

多个电荷存储结构，设置于所述栅极的一侧，且相邻两个电荷存储结构借助位于其间的该第一介电层进行隔离，其中各该电荷存储结构包括依序设置于各该栅极的一侧的一第一氧化层、一氮化层与一第二氧化层，其中该第一氧化层和该氮化层是通过对覆盖于该第二氧化层的氮化硅材料层进行氧化而得到的，具体是对覆盖于该第二氧化层的氮化硅材料层进行氧化工艺，将部分所述氮化硅材料层转变成所述第一氧化层，且由所述氮化硅材料层的剩余部分形成所述氮化层；

于各该栅极与各该电荷存储结构之间形成一缓冲层；以及

于该堆叠结构的邻近于所述电荷存储结构的侧壁上形成一沟道层。