[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；

图案化所述硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成浅沟槽；

在所述硬掩膜层上和所述浅沟槽的底部以及侧壁上形成硅薄膜层；

对所述硅薄膜层位于所述浅沟槽顶部侧壁上的部分进行氧掺杂，以形成氧化硅薄膜，所述浅沟槽顶部侧壁上的所述氧化硅薄膜为后续氧化物填充提供氧化硅衬底，所述浅沟槽的底部以及侧壁上的所述硅薄膜为后续氧化物填充提供硅衬底；

对所述浅沟槽顶部侧壁上的氧化硅薄膜与浅沟槽底部及侧壁未经掺杂的硅薄膜进行预处理，以使后续氧化物填充过程中，氧化物在所述硅衬底上的生长速率增加，在所述氧化硅衬底上的生长速率下降；

在所述预处理后的浅沟槽内填充氧化物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述硅薄膜层之前在所述硬掩膜层上以及所述浅沟槽的底部和侧壁上形成衬垫氧化物层的步骤。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述衬垫氧化物层的步骤采用原位水汽生成工艺。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅薄膜层为多晶硅或者非晶硅。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述硅薄膜层进行氧掺杂的步骤，采用倾斜离子注入工艺。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述氧掺杂步骤之后还包括退火步骤。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理的步骤包括氟处理步骤。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在预处理后的浅沟槽内填充氧化物的步骤，采用HARP氧化物填充工艺。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括依次形成的氧化物层和氮化物层。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述预处理后的浅沟槽内填充氧化物的步骤之后执行化学机械研磨步骤。