[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，包括数个存储器区段，该些存储器区段各包括：

一存储器阵列区；

一存储器选择区，邻近该存储器阵列区；

一半导体条纹，为一连续未中断的条纹结构，延伸于该存储器阵列区与该存储器选择区中，包括相连接的一半导体栅电极和一半导体通道，其中该半导体栅电极在该存储器阵列区中，该半导体通道在该存储器选择区中；

一栅介电层；

一栅电极层，与该半导体通道位于该存储器选择区中，且通过该栅介电层分开自该半导体通道；及

一通道层，与该半导体栅电极位于该存储器阵列区中，且通过该栅介电层分开自该半导体栅电极。

2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括一字线驱动器，其中该些存储器区段其中一个的该存储器选择区是介于该些存储器区段其中该一个的该存储器阵列区与该字线驱动器之间。

3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括一字线驱动器，其中该些存储器区段的该些存储器选择区是在该些存储器阵列区之间。

4.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括一个字线驱动器，其中该一个字线驱动器是被该些存储器区段所共享。

5.根据权利要求1所述的存储器结构，其中该存储器选择区中的该栅电极层、该半导体通道与该栅介电层构成一字线选择器。

6.一种存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成一半导体条纹在一基底上，其中该半导体条纹包括在一存储器选择区中的一半导体通道及在一存储器阵列区中的一半导体栅电极，该半导体条纹为一连续未中断的条纹结构，且延伸于该存储器阵列区与该存储器选择区中，该存储器选择区邻近该存储器阵列区；

形成一栅介电层在该半导体通道及该半导体栅电极上；

形成一通道层在该存储器阵列区中的该栅介电层上；及

形成一栅电极层在该存储器选择区中的该栅介电层上。

7.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，还包括在形成该通道层之后，形成一开口露出该半导体通道，其中该存储器结构的制造方法包括形成该栅介电层与该栅电极层在该开口中。

8.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中该半导体通道上的该栅介电层是在该半导体栅电极上的该栅介电层之后形成。

9.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中该栅电极层是在该通道层之后形成。

10.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中该半导体条纹的该半导体通道与该半导体栅电极是同时形成，该栅电极层与该通道层是同时形成。