[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

鳍型有源区域，在竖直方向上从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；

纳米片，平行于所述鳍型有源区域的所述上表面延伸并包括沟道区域，所述纳米片位于与所述鳍型有源区域的所述上表面间隔开的第二水平面处；

栅极，设置在所述鳍型有源区域上并围绕所述纳米片的至少一部分，所述栅极在交叉所述鳍型有源区域的方向上延伸；

栅极介电层，设置在所述纳米片和所述栅极之间；

源极和漏极区域，形成在所述鳍型有源区域上并连接到所述纳米片的一端；

第一绝缘间隔物，在所述纳米片上，所述第一绝缘间隔物覆盖所述栅极的侧壁；以及

第二绝缘间隔物，设置在所述栅极与所述源极和漏极区域之间且在所述鳍型有源区域的所述上表面和所述纳米片之间的空间中，所述第二绝缘间隔物具有至少三层结构并在所述竖直方向上不与所述源极和漏极区域重叠。

2.如权利要求1所述的集成电路器件，

其中所述栅极包括覆盖所述纳米片的上表面的主栅极部分和连接到所述主栅极部分且形成在所述鳍型有源区域和所述纳米片之间的空间中的子栅极部分，

其中所述第一绝缘间隔物覆盖所述主栅极部分的侧壁，并且

其中所述第二绝缘间隔物覆盖所述子栅极部分的侧壁。

3.如权利要求2所述的集成电路器件，其中所述纳米片形成在所述鳍型有源区域和所述栅极之间的空间中的由所述栅极覆盖的重叠区域中，并具有比所述重叠区域的平面面积大的平面面积。

4.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一绝缘间隔物和所述第二绝缘间隔物包括不同的材料。

5.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述三层结构包括空气间隔。

6.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二绝缘间隔物包括：

第一衬层，具有面对所述栅极和所述纳米片的表面，并包括不包含氧的第一绝缘材料；

第二衬层，与所述栅极和所述纳米片间隔开并包括与所述第一绝缘材料不同的第二绝缘材料，其中所述第一衬层在所述第二衬层和所述栅极之间以及在所述第二衬层和所述纳米片之间；以及

空气间隔，至少由所述第二衬层限定。

7.如权利要求6所述的集成电路器件，其中所述第二绝缘间隔物还包括与所述第二衬层一起限定所述空气间隔的部分埋入层。

8.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二绝缘间隔物包括：

第一衬层，具有面对所述栅极和所述纳米片的表面并包括不包含氧的第一绝缘材料；

第二衬层，与所述栅极和所述纳米片间隔开并包括与所述第一绝缘材料不同的第二绝缘材料，其中所述第一衬层在所述第二衬层和所述栅极之间以及在所述第二衬层和所述纳米片之间；以及

埋入层，填充由所述第二衬层限定的空间的至少一部分并包括与所述第二绝缘材料不同的第三绝缘材料。

9.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二绝缘间隔物包括：

第一衬层，包括SiN、SiCN和SiBN之一；以及

第二衬层，与所述栅极和所述纳米片间隔开并包括SiON、SiOCN和SiBCN之一，其中所述第一衬层在所述第二衬层和所述栅极之间以及在所述第二衬层和所述纳米片之间。

10.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二绝缘间隔物包括：

第一衬层，包括不包含氧的第一绝缘材料；和

第二衬层，具有与所述第一绝缘材料的成分不同的成分并具有在从0至50原子％的范围内的氧含量。

11.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二绝缘间隔物包括空气间隔、SiN、SiCN、SiBN、SiON、SiOCN、SiBCN、SiOC和SiO₂中的至少一种。