[发明专利]鳍式场效应管的形成方法在审
| 申请号： | 201610884455.3 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107919283A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 | ||
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述鳍部具有第一原子；
形成横跨所述鳍部的伪栅结构，且所述伪栅结构覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面，所述伪栅结构包括栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的伪栅电极层；
去除第一厚度的所述伪栅电极层；
去除第一厚度的所述伪栅电极层后，采用含有第二原子的气体对所述鳍部顶部进行退火处理，所述第二原子能在所述退火处理中与所述第一原子形成化学键。
2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述衬底的材料为硅，所述第一原子为Si原子。
3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用含有第二原子的气体对所述鳍部顶部进行退火处理的步骤中，在含有H2或D2的氛围下进行所述退火处理，所述第二原子为H原子；
或者，
在含有F的氛围下进行所述退火处理，所述第二原子为F原子。
4.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，H2、D2或F的气体流量为100sccm至1000sccm。
5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述退火处理为炉管退火处理、尖峰退火处理或激光退火处理。
6.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述退火处理为炉管退火处理；所述炉管退火处理的参数包括：退火温度为300℃至700℃，退火时间为1H至3H，压强为10托至一个标准大气压。
7.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述退火处理为尖峰退火处理；所述尖峰退火处理的参数包括：退火温度为850℃至950℃，压强为10托至一个标准大气压。
8.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述退火处理为激光退火处理；所述激光退火处理的参数包括：退火温度为950℃至1050℃，压强为10托至一个标准大气压。
9.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除第一厚度的所述伪栅电极层后，剩余所述伪栅电极层的顶部高于所述鳍部顶部；或者，剩余所述伪栅电极层暴露出第二厚度的鳍部。
10.如权利要求9所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，第一厚度为高于所述鳍部顶部的伪栅电极层厚度的0.5倍至1.02倍。
11.如权利要求9所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，剩余所述伪栅电极层暴露出第二厚度的鳍部，所述第二厚度为至
12.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述栅氧化层的工艺为干氧氧化、水汽氧化或湿氧氧化。
13.如权利要求12所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用原位水汽生成氧化工艺形成所述栅氧化层，所述原位水汽生成氧化工艺的参数包括：反应气体包括O2、H2和H2O，其中，O2流量为0.1slm至20slm，H2流量为0.1slm至20slm，H2O流量为0.1slm至50slm，反应腔室温度为650度至1000度，反应腔室压强为0.1托至760托，反应时长为5秒至10分。
14.如权利要求13所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅氧化层的材料为氧化硅。
15.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为至
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