[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于在基板上形成多个电子器件的方法，所述方法包括：

提供与所述基板分开形成的半导体颗粒；

将所述半导体颗粒放置在所述基板上的预定位置处；

不可移动地将所述半导体颗粒固定到所述基板的所述预定位置处；

在不可移动地固定所述半导体基板之后，去除所述半导体颗粒中的每一个的部分，以便暴露所述多个半导体颗粒的截面，其中所述截面是平坦表面；以及

在每个平坦表面正上方或正下方提供一个或多个可栅控电子部件，针对每个平坦表面，提供一个或多个可栅控电子部件包括：

在所述平坦表面的第一部分上沉积包括掺杂剂的、第一数量的第一液体介质，并且在所述平坦表面的第二部分上沉积第二数量的第一液体介质，所述第一数量的介质与所述第二数量的介质通过一间隙间隔开；

加热所述第一数量的介质、所述第二数量的介质和对应的半导体颗粒，所述加热被配置成使所述掺杂剂中的至少一些从所述第一液体介质扩散到所述平坦表面中；

在所述平坦表面上的所述间隙中沉积介电材料；

从所述平坦表面选择性地去除所述第一数量的介质和所述第二数量的介质；

在所述第一部分和所述第二部分中的每一个上沉积电子触点；以及

在所述介电材料上沉积另外的电子触点。

2.一种用于在基板上形成电子器件的方法，所述方法包括：

提供与所述基板分开形成的半导体颗粒；

不可移动地将所述半导体颗粒固定到所述基板；

在不可移动地固定之后，在所述半导体颗粒的表面的第一部分上沉积包括掺杂剂的、第一数量的第一液体介质，并且在所述表面的第二部分上沉积第二数量的第一液体介质，所述第一数量的介质与所述第二数量的介质通过一间隙间隔开；

加热所述第一数量的介质、所述第二数量的介质和所述半导体颗粒，所述加热被配置成使所述掺杂剂中的至少一些从所述第一液体介质扩散到所述表面中；

在所述表面上的所述间隙中沉积介电材料；

从所述表面选择性地去除所述第一数量的介质和所述第二数量的介质；

在所述第一部分和所述第二部分中的每一个上沉积电子触点；以及

在所述介电材料上沉积另外的电子触点；

其中所述方法进一步包括：

在沉积第一数量的介质和第二数量的介质之前，在所述表面上的所述间隙中形成势垒岛；以及

在沉积介电材料之前，从所述表面选择性地去除所述势垒岛。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成势垒岛包括：

在所述表面上的所述间隙中沉积包括势垒材料的、第三数量的第二液体介质。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成势垒岛包括：

在所述表面上沉积光敏材料层；

将光敏材料的覆盖所述间隙的区域暴露于被配置成对所述光敏材料进行改性的光；以及

从所述表面选择性地去除所述光敏材料层的未暴露区域，从而形成包括通过所述光改性的光敏材料的势垒岛。

5.根据权利要求2所述的方法，其中沉积介电材料包括：

在所述表面上的所述间隙中沉积包括所述介电材料的、第四数量的第三液体介质。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第四数量的介质以小于大约90^o湿润角加湿所述第一数量的介质和所述第二数量的介质。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述加热还从所述表面选择性地去除所述势垒岛。

8.根据权利要求2所述的方法，其中沉积第一数量的介质和第二数量的介质包括：

在所述表面上沉积初始数量的所述第一液体介质，所述初始数量的介质覆盖所述表面的所述第一部分、所述表面的所述第二部分以及布置在所述第一部分与所述第二部分之间的所述势垒岛；并且

加热所述初始数量的介质，以通过至少部分地蒸发所述第一液体介质的一种或多种成分来减小所述初始数量的介质的体积，从而暴露所述势垒岛并且形成通过所述势垒岛彼此分开的所述第一数量的介质和所述第二数量的介质。