[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

基板，包含后侧与前侧，且所述前侧具有导体；

孔洞，穿透所述基板并暴露所述导体；

沟渠，从所述后侧延伸至所述基板中，并环绕所述孔洞，其中，第一材料层位于所述孔洞中并电性连接至所述导体，第二材料层位于所述沟渠中并覆盖所述基板的所述后侧，且所述第二材料层与所述第一材料层的顶表面为共平面；以及

凸块下金属层，位于所述第二材料层上，电性连接至所述第一材料层及所述基板前侧的所述导体，且直接接触所述第一材料层及所述第二材料层，其中，所述凸块下金属层与所述第二材料层由不同材料所制成。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包含衬层位于所述孔洞的侧壁上。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二材料层直接接触部分所述衬层的侧壁。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第二材料层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铜、钨或其组合。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包含凸块，所述凸块位于所述基板的后侧上。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述凸块下金属层位于所述凸块及所述基板的所述后侧之间。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述凸块下金属层的底表面与所述第一材料层及所述第二材料层的顶表面为共平面。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一材料层及所述第二材料层包含一种材料，其独立选自群组，所述群组包含：钛、铝、铜、铬、银、钨及其组合。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导体为一种结构，其选自群组，所述群组包含：内连线结构、金属层、闸极、前侧硅穿孔电极及其组合。

10.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述沟渠及所述凸块由上而视具有一定形状，其独立选自群组，所述群组包含：圆形、正方形及多边形。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

接收基板，所述基板包含后侧、前侧及导体，其中，所述前侧具有内连线结构，所述导体位于所述基板中，且电性连接至所述内连线结构；

形成沟渠，从所述后侧延伸至所述基板中，且环绕所述导体；

形成材料层于所述沟渠中并覆盖所述基板的所述后侧，其中，所述材料层与所述导体的顶表面为共平面；以及

形成凸块下金属层于所述材料层上，电性连接至所述导体及所述基板前侧的所述内连线结构，且所述凸块下金属层直接接触所述导体及所述材料层，其中，所述凸块下金属层与所述材料层由不同材料所制成。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述的半导体装置的制造方法还包含形成凸块于所述基板的所述后侧上。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述凸块下金属层形成在所述凸块与所述基板的所述后侧之间。