[发明专利]具有顶部基板支撑组件的热处理腔室有效
申请号: | 201610890145.2 | 申请日: | 2013-01-14 |
公开(公告)号: | CN106935532B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 欧勒格·塞雷布里安诺夫;约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;F27B17/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 顶部 支撑 组件 热处理 | ||
1.一种用于热处理基板的设备,所述设备包含:
腔室主体,所述腔室主体界定处理容积,其中所述腔室主体包括腔室盖和面向所述腔室盖的窗;
加热组件,所述加热组件设置在所述窗的外侧,其中所述加热组件包含多个辐射加热源,所述多个辐射加热源朝向所述处理容积引导辐射能穿过所述窗;
基板支撑组件,所述基板支撑组件设置在所述处理容积中,所述基板支撑组件包括设置在所述处理容积中的圆盘,其中所述圆盘具有面向所述窗的下表面及面向所述腔室盖的上表面;
驱动机构,所述驱动机构耦接至所述圆盘的所述上表面以旋转所述基板支撑组件并垂直移动所述基板支撑组件;及
三个或更多个推销,所述三个或更多个推销设置在所述窗之上以用于基板装载与卸载。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述基板支撑组件进一步包括:
多个托架,所述多个托架从所述圆盘的所述下表面延伸,其中所述多个托架形成支撑表面。
3.如权利要求2所述的设备,其中所述腔室主体包含耦接至所述腔室盖并包围内容积的缸体,所述基板支撑组件进一步包含从所述圆盘所述上表面的中央区域处延伸至所述缸体的所述内容积的轴,且所述轴的上端耦接至所述驱动机构。
4.如权利要求3所述的设备,其中所述驱动机构包含磁性转子,所述磁性转子具有附接于所述轴的所述上端的永磁体及设置在所述缸体外侧的电磁体。
5.如权利要求3所述的设备,其中所述驱动机构包含:
铠装磁体,所述铠装磁体耦接至在所述缸体的所述内容积内的所述轴的所述上端;及
直线电机,所述直线电机设置在所述缸体外侧,并且所述直线电机的移动部分产生电磁场以接合耦接至所述轴的所述铠装磁体。
6.如权利要求3所述的设备,进一步包含多个高温计,所述多个高温计安装在所述腔室盖上并且被放置以经由多个视口测量设置在所述基板支撑组件上的基板的温度,所述多个视口穿过所述腔室盖形成。
7.如权利要求6所述的设备,其中所述圆盘具有:
中心区,所述中心区对应于正在被处理的所述基板的表面,其中所述中心区对在所述高温计的工作范围内的波长为透明的;
中间环形区,所述中间环形区在所述中心区的径向外侧,其中所述中间环形区包括吸收器、反射器或散射器以调整波长在所述多个高温计的所述工作范围内的辐射;及
外环形区,所述外环形区在所述中间环形区的径向外侧,其中所述外环形区对波长在所述多个高温计的所述工作范围内的辐射为不透明的。
8.如权利要求6所述的设备,其中所述圆盘具有表面,所述表面具有多个窗,所述多个窗对在所述高温计的工作范围内的波长为透明的,所述表面对波长在所述多个高温计的所述工作范围内的辐射为不透明的和/或反射性的,且所述多个窗沿对应于所述多个高温计的多个半径分布。
9.如权利要求2所述的设备,其中所述基板支撑组件进一步包含从所述圆盘的所述上表面延伸的环,且所述环的上端耦接至所述驱动机构。
10.如权利要求2所述的设备,其中所述多个托架具有泪滴形横截面以在处理期间最小化紊流。
11.如权利要求3所述的设备,其中所述圆盘、所述轴和所述多个托架由石英形成。
12.如权利要求1所述的设备,其中所述腔室主体包含附接在所述腔室盖上方的环形壳,且所述环形壳界定内容积。
13.如权利要求12所述的设备,其中所述基板支撑组件包含:
多个托架,所述多个托架耦接至所述驱动机构,其中所述多个托架在所述环形壳的所述内容积内旋转并垂直移动;及
基座,所述基座设置在所述多个托架的支撑表面之上,其中所述基座被配置成在边缘区域处支撑所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造