[发明专利]一种通过触发器产生脉冲的半双工RFID振荡维持电路

权利要求书

1.一种通过触发器产生脉冲的半双工RFID振荡维持电路，包括并联连接于第一天线端与第二天线端之间的谐振电感与谐振电容，所述谐振电感与谐振电容组成谐振电路耦合外部磁场产生交流电流，并将该交流电流输入至整流电路，所述整流电路输出端连接至储能电容和内部电路，其特征在于，所述第一天线端连接至触发电路，作为所述触发电路的输入端，触发电路的电源端通过串联连接的开关单元和电阻连接至所述第一天线端，所述触发电路的输出端连接至所述开关单元的控制端，所述触发电路用于采样天线端的信号，产生脉宽可自适应调整的矩形波信号以控制所述开关单元断开或闭合，当开关单元闭合时，形成从所述储能电容至LC谐振回路的充电电流回路。

2.根据权利要求1所述的振荡维持电路，其特征在于，所述开关单元为第一开关，所述第一开关的输入端连接至所述电阻，所述第一开关的电源端接电源，第一开关的控制端连接至所述触发电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的振荡维持电路，其特征在于，所述开关单元为第一P型MOS管或者是第一复合开关中的任意一种，

当所述开关单元为第一P型MOS管时，所述第一P型MOS管源极连接至电源作为所述开关单元的电源端，漏极连接至所述电阻作为所述开关单元的输入端，栅极连接至所述触发电路的输出端，作为所述开关单元的控制端；

当所述开关单元为第一复合开关时，所述第一复合开关包括并联连接的第二N型MOS管和第二P型MOS管，所述第二N型MOS管漏极连接至所述第二P型MOS管源极并连接至电源作为所述第一复合开关的电源端，所述第二N型MOS管源极连接至所述第二P型MOS管漏极并连接至电阻作为所述第一复合开关的输入端，所述第二P型MOS管栅极连接至所述触发电路的输出端，作为所述第一复合开关的第一控制端，所述第二N型MOS管栅极通过反相器连接至所述触发电路的输出端，作为所述第一复合开关的第二控制端。

4.根据权利要求1所述的振荡维持电路，其特征在于，所述触发电路包括由第四P型MOS管、第五P型MOS管、第六P型MOS管和第四N型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管组成的施密特电路，以及由第九P型MOS管和第九N型MOS管组成的反相器、第十P型MOS管和第十N型MOS管组成的反相器，所述第四P型MOS管源极连接至第一阈值单元，作为所述第一阈值单元的输入端，所述第一阈值单元的输出端连接至所述第六N型MOS管的漏极端，所述第六P型MOS管漏极连接至第二阈值单元，作为所述第二阈值单元的输入端，所述第二阈值单元的输出端接地。

5.根据权利要求4所述的振荡维持电路，其特征在于，所述第一阈值单元为至少一个串联连接的二极管，或者是至少一个串联连接的P型MOS管，或者是至少一个串联连接的N型MOS管，

所述至少一个二极管中，任一二极管阴极端与相邻二极管阳极端连接形成串联结构，第一个二极管阳极端连接至第四P型MOS管源极，作为所述第一阈值单元的输入端，最后一个二极管阴极端连接至第六N型MOS管的漏极，作为所述第一阈值单元的输出端；

所述至少一个P型MOS管中，任一P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至第四P型MOS管源极，作为所述第一阈值单元的输入端，最后一个P型MOS管的漏极连接至第六N型MOS管的漏极，作为所述第一阈值单元的输出端，各P型MOS管的栅极均与漏极相连；

所述至少一个N型MOS管中，任一N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极连接至第四P型MOS管源极，作为所述第一阈值单元的输入端，最后一个N型MOS管的源极连接至第六N型MOS管的漏极，作为所述第一阈值单元的输出端，各N型MOS管的栅极均与漏极相连。

6.根据权利要求4所述的振荡维持电路，其特征在于，所述第二阈值单元为至少一个串联连接的二极管，或者是至少一个串联连接的P型MOS管，或者是至少一个串联连接的N型MOS管，

所述至少一个二极管中，任一二极管阴极端与相邻二极管阳极端连接形成串联结构，第一个二极管阳极端连接至第六P型MOS管漏极，作为所述第二阈值单元的输入端，最后一个二极管阴极端接地，作为所述第二阈值单元的输出端；

所述至少一个P型MOS管中，任一P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至第六P型MOS管漏极，作为所述第二阈值单元的输入端，最后一个P型MOS管的漏极接地，作为所述第二阈值单元的输出端，各P型MOS管的栅极均与漏极相连；

所述至少一个N型MOS管中，任一N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极连接至第六P型MOS管漏极，作为所述第二阈值单元的输入端，最后一个N型MOS管的源极接地，作为所述第二阈值单元的输出端，各N型MOS管的栅极均与漏极相连。