[发明专利]太阳能电池结构

权利要求书

1.一种太阳能电池结构，其特征在于，包括：

一半导体基板，包括一高低起伏表面，该高低起伏表面包括多个波峰以及多个波谷，其中各该波峰具有一第一曲率半径，各该波谷具有一第二曲率半径，且各该第一曲率半径大于各该第二曲率半径；以及

一钝化层，顺应性地覆盖该半导体基板的该高低起伏表面，并与该半导体基板相接触，其中位于该等波峰上的该钝化层具有一第一厚度，且位于该等波谷上的该钝化层具有一第二厚度。

2.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，该第一厚度与该第二厚度之差值小于该第一厚度的50％。

3.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，该钝化层的该第一厚度与该第二厚度介于1纳米至20纳米之间。

4.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，该半导体基板包括硅，且该钝化层包括非晶硅、微晶硅或多晶硅。

5.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，还包括一晶硅层以及一抗反射层，依序顺应性地覆盖于该钝化层上。

6.如权利要求5所述的太阳能电池结构，其特征在于，该抗反射层包括透明导电材料。

7.一种太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基板，该半导体基板包括一上表面以及一下表面；

对该半导体基板的该上表面进行一各向异性蚀刻工艺，以形成一粗糙表面；

对该粗糙表面进行一各向同性蚀刻工艺，以形成一高低起伏表面，该高低起伏表面包括多个波峰以及多个波谷，其中各该波峰具有一第一曲率半径，各该波谷具有一第二曲率半径，且各该第一曲率半径大于各该第二曲率半径；以及

于该高低起伏表面上形成一钝化层，其中位于该等波峰上的该钝化层具有一第一厚度，且位于该等波谷上的该钝化层具有一第二厚度。

8.如权利要求7所述的太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，该各向同性蚀刻制程包括利用氢氟酸(HF)/硝酸(HNO₃)混合溶液、氢氟酸(HF)/过氧化氢(H₂O₂)混合溶液或氢氟酸(HF)/臭氧水(Ozonated Water)混合溶液之其中至少一者进行蚀刻。

9.如权利要求7所述的太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，该各向同性蚀刻工艺包括依序交替进行一氧化工艺以及一蚀刻工艺至少一次。

10.如权利要求9所述的太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，该氧化工艺包括利用硝酸(HNO₃)、过氧化氢(H₂O₂)、臭氧水(Ozonated Water)或去离子水(Deionized Water)的其中至少一者进行氧化。

11.如权利要求9所述的太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，该蚀刻工艺包括利用氢氟酸(HF)进行蚀刻。

12.如权利要求7所述的太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，该第一厚度与该第二厚度的差值小于该第一厚度的50％。

13.如权利要求7所述的太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，该第一厚度与该第二厚度介于1纳米至20纳米之间。

14.如权利要求7所述的太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，该半导体基板的材料包括硅，且该钝化层的材料包括非晶硅、微晶硅或多晶硅。

15.如权利要求7所述的太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，还包括于形成该钝化层之后，于该钝化层上依序形成一晶硅层以及一抗反射层，其中该晶硅层与该抗反射层依序堆叠于该钝化层上。

16.如权利要求15所述的太阳能电池结构的制作方法，其特征在于，该抗反射层包括透明导电材料。