[发明专利]掩埋金属型宽带反射光栅及其制作方法有效
| 申请号： | 201610891021.6 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107942425B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫 | 申请（专利权）人： | 上海矽越光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 邓文武 |
| 地址： | 201612 上海市松江区漕河泾开*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩埋 金属 宽带 反射光栅 及其 制作方法 | ||
1.一种掩埋金属型宽带反射光栅，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)上设置有铝膜(2)，所述铝膜(2)上刻蚀有矩形光栅脊(3)，所述矩形光栅脊(3)间及光栅顶部设置有二氧化硅薄膜(4)，所述铝膜厚度为1～2微米，刻蚀深度为400～700纳米，光栅顶部二氧化硅厚度为100～300纳米，光栅周期为500～600纳米，光栅的占空比为0.4～0.6。
2.如权利要求1所述的掩埋金属型宽带反射光栅，其特征在于，所述衬底(1)为玻璃或硅。
3.如权利要求1或2所述的掩埋金属型宽带反射光栅，其特征在于，所述铝膜厚度为1.6微米，刻蚀深度为400纳米，光栅顶部二氧化硅厚度为160纳米，光栅周期为556纳米，光栅的占空比为0.4。
4.一种掩埋金属型宽带反射光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，在衬底(1)上生长铝膜(2)；
S2，在S1的铝膜(2)上刻蚀矩形光栅脊(3)；
S3，在S2的矩形光栅脊(3)间及光栅顶部填充二氧化硅薄膜(4)；
S4，对S3中的二氧化硅薄膜(4)表面进行抛光；
其中，所述S2处理后的铝膜(2)厚度为1～2微米，刻蚀深度为400～700纳米，所述S4处理后的光栅顶部二氧化硅厚度为100～300纳米，所述光栅周期为500～600纳米，光栅的占空比为0.4～0.6。
5.如权利要求4所述的掩埋金属型宽带反射光栅的制作方法，其特征在于，所述铝膜厚度为1.6微米，刻蚀深度为400纳米，光栅顶部二氧化硅厚度为160纳米，光栅周期为556纳米，光栅的占空比为0.4。
6.如权利要求5所述的掩埋金属型宽带反射光栅的制作方法，其特征在于，所述S1中生长铝膜的方法为磁控溅射法，所述S2中的刻蚀方法为等离子刻蚀法，所述S3中的填充方法为化学气相淀积法，所述S4中的抛光方法为化学机械抛光法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海矽越光电科技有限公司，未经上海矽越光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610891021.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
