[发明专利]减小NAND闪存编程建立时间的电路和NAND闪存

权利要求书

1.一种减小NAND闪存编程建立时间的电路，其特征在于，包括：

检测模块，所述检测模块与NAND闪存中一字线的驱动端相连，当所述字线选中时，所述检测模块检测所述选中字线的驱动端电压，并根据所述选中字线的驱动端电压生成检测电压；

触发模块，所述触发模块的输入端与所述检测模块的输出端相连，所述触发模块的输出端与与所述字线相邻的未选中字线对应的至少一个电荷泵相连，当所述检测电压大于预设参考电压时，所述触发模块触发所述至少一个电荷泵，以使所述电荷泵向对应的所述与所述选中字线相邻的未选中字线输出第一电压，所述第一电压大于0V且所述第一电压小于所述字线的编程电压。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述预设参考电压为所述字线的驱动端电压建立速度拐点处的电压。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述检测模块包括：

第一电阻模块，所述第一电阻模块的一端与所述字线的驱动端相连；

第二电阻模块，所述第二电阻模块的一端与所述第一电阻模块的另一端相连，所述第二电阻模块的另一端接地，所述第二电阻模块的一端与所述第一电阻模块的另一端作为所述检测模块的输出端。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一电阻模块包括多个第一电阻。

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第二电阻模块包括第二电阻。

6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述触发模块包括：

比较器，所述比较器的反相输入端与所述检测模块的输出端相连，所述比较器的同相输入端与所述预设参考电压的提供端相连，所述比较器的输出端与所述与所述字线相邻的未选中字线对应的至少一个电荷泵相连，当所述检测电压大于所述预设参考电压时，所述比较器输出触发信号。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述触发模块还包括：

反相器，所述反相器的输入端与所述比较器的输出端相连，所述反相器的输出端与所述与所述字线相邻的未选中字线对应的至少一个电荷泵相连，所述反相器用于对所述触发信号进行反相。

8.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述触发模块包括：

比较器，所述比较器的同相输入端与所述检测模块的输出端相连，所述比较器的反相输入端与所述预设参考电压的提供端相连，所述比较器的输出端与所述与所述字线相邻的未选中字线对应的至少一个电荷泵相连，当所述检测电压大于所述预设参考电压时，所述比较器输出触发信号。

9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，在所述字线选中后，所述与所述字线相邻的未选中字线对应的至少一个电荷泵，对应向所述与所述字线相邻的未选中字线输出第二电压；所述第二电压大于0V且所述第二电压小于所述第一电压。

10.一种NAND闪存，其特征在于，包括：多个字线、多个权利要求1-9中任一项所述的减小NAND闪存编程建立时间的电路和多个电荷泵，所述多个字线与所述多个减小NAND闪存编程建立时间的电路一一对应。