[发明专利]跨电源域的静电放电防护电路有效
申请号: | 201610893311.4 | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN107947138B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 曹太和;颜承正 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H02H9/04 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;刘冀 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 静电 放电 防护 电路 | ||
本发明提出一种跨电源域的静电放电防护电路,包含:第一电流路径开关,并联于第一电路,且在第一节点电压处于逻辑高电位时关断;第一节点,用于提供第一节点电压;第一电阻组件,耦接于第一电源端与第一节点之间;第一金氧半导体电容,耦接于第一节点与第一固定电位端之间;第二电流路径开关,并联于第二电路,且受控于第二节点电压;开关控制电路,用于提供第二节点电压;以及节点电压控制电路,设置成在第一电源端供电给第一电路且第二电源端供电给第二电路时,依据第二节点电压控制第一节点电压的大小,以确保第一电流路径开关维持在关断状态。
技术领域
本发明有关静电放电防护电路,尤指一种跨电源域的静电放电防护电路。
背景技术
集成电路中常会将静电放电防护电路与其他电路并联,以提供与其他电路并联的放电路径。为了降低电路面积,传统的静电放电防护电路中所使用的电容器,多半是以金氧半导体电容(MOS capacitor)来实现。
然而,在许多先进的半导体制程中,金氧半导体电容很容易因为栅极氧化层厚度越来越薄,而发生栅极漏电流(gate leakage)的问题。如此一来,便可能导致静电放电防护电路在其他电路正常运作的过程中产生误作动,而造成集成电路发生故障或无法正常运作的问题。
发明内容
有鉴于此,如何有效避免静电放电防护电路因金氧半导体电容的栅极漏电流问题而产生误作动的情况,实为业界有待解决的问题。
本说明书提供一种跨电源域的静电放电防护电路的实施例,其包含:一第一电流路径开关,位于一第一电源端与一第一固定电位端之间的一第一电流路径上,并联于一第一电路,且设置成在一第一节点电压处于逻辑高电位时关断;一第一节点,耦接于该第一电流路径开关的一控制端,用于提供该第一节点电压;一第一电阻组件,耦接于该第一电源端与该第一节点之间;一第一金氧半导体电容,耦接于该第一节点与该第一固定电位端之间,且设置成在该第一节点电压处于逻辑高电位时进行充电;一第二电流路径开关,位于一第二电源端与一第二固定电位端之间的一第二电流路径上,并联于一第二电路,且受控于一第二节点电压;一开关控制电路,耦接于该第二电源端与该第二固定电位端之间,用于提供该第二节点电压;以及一节点电压控制电路,耦接于该第一电源端、该第一节点、以及该开关控制电路,设置成在该第一电源端供电给该第一电路且该第二电源端供电给该第二电路时,依据该第二节点电压控制该第一节点电压的大小,以确保该第一电流路径开关维持在关断状态。
上述实施例的优点之一,是即使第一金氧半导体电容有栅极漏电流发生,节点电压控制电路仍可依据开关控制电路提供的第二节点电压来控制第一节点电压的大小,以确保第一电流路径开关不会误作动。
上述实施例的另一优点,是可采用更先进的半导体制程技术来制造第一金氧半导体电容,以极小化第一金氧半导体电容的电路面积。
本发明的其他优点将搭配以下的说明和图式进行更详细的解说。
附图说明
图1为本发明第一实施例的静电放电防护电路简化后的功能方块图。
图2为本发明第二实施例的静电放电防护电路简化后的功能方块图。
具体实施方式
以下将配合相关图式来说明本发明的实施例。在图式中,相同的标号表示相同或类似的组件或方法流程。
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