[发明专利]光源模块有效

专利信息
申请号: 201610893449.4 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN107435855B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 丁初稷;黄昱文 申请(专利权)人: 丁初稷;福兴洋有限公司
主分类号: F21S8/00 分类号: F21S8/00;F21V19/00;F21V9/40;A01G7/04;F21Y115/10;F21Y105/16;F21Y113/17
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 中国台湾嘉义*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光源 模块
【权利要求书】:

1.一种光源模块,其特征在于,包括:

一布线载板;以及

一发光二极管阵列,其电性连接至该布线载板,并于驱动时发出一第一发光峰组、一第二发光峰组及一第三发光峰组,该第一发光峰组具有300nm≦λmax450nm的多个发光峰,该第二发光峰组具有450nm≦λmax550nm的多个发光峰,该第三发光峰组具有550nm≦λmax600nm的多个发光峰,其中,该些发光峰是依据水面下太阳光光谱进行拼配,当将该第二发光峰组中最大的峰值强度作为1.0时,该第一发光峰组中的该些发光峰的峰值强度Ia为0Ia≦0.9,而该第三发光峰组中的该些发光峰的峰值强度Ib为0Ib≦0.9;

其中,该第一发光峰组中最大的峰值强度为0.5至0.9,而该第三发光峰组中最大的峰值强度为0.1至0.8;

其中,于模拟水面下5公尺处的太阳光光谱是使用2个390nm发光二极管组件、3个410nm发光二极管组件、3个430nm发光二极管组件为第一发光峰组;1个450nm发光二极管组件、6个470nm发光二极管组件、8个490nm发光二极管组件、7个510nm发光二极管组件、9个530nm发光二极管组件为第二发光峰组;以及7个550nm发光二极管组件及3个570nm发光二极管组件为第三发光峰组;

于模拟水面下10公尺处的太阳光光谱是使用1个390nm发光二极管组件、2个410nm发光二极管组件、及2个430nm发光二极管组件为第一发光峰组;3个450nm发光二极管组件、4个470nm发光二极管组件、6个490nm发光二极管组件、5个510nm发光二极管组件、及6个530nm发光二极管组件为第二发光峰组;以及8个550nm发光二极管组件及12个570nm发光二极管组件为第三发光峰组;

于模拟水面下15公尺处的太阳光光谱是使用1个390nm发光二极管组件、3个410nm发光二极管组件、及3个430nm发光二极管组件为第一发光峰组;3个450nm发光二极管组件、6个470nm发光二极管组件、8个490nm发光二极管组件、6个510nm发光二极管组件、及6个530nm发光二极管组件为第二发光峰组;6个550nm发光二极管组件及7个570nm发光二极管组件为第三发光峰组;以及

于模拟水面下20公尺处的太阳光光谱是使用1个390nm发光二极管组件、2个410nm发光二极管组件、及4个430nm发光二极管组件为第一发光峰组;2个450nm发光二极管组件、6个470nm发光二极管组件、9个490nm发光二极管组件、7个510nm发光二极管组件、及6个530nm发光二极管组件为第二发光峰组;6个550nm发光二极管组件及6个570nm发光二极管组件为第三发光峰组。

2.如权利要求1所述的光源模块,其特征在于,其中,该发光二极管阵列包含不同波长的多个发光单元,且该些发光单元是以马赛克方式或直条方式排列。

3.如权利要求1或2所述的光源模块,其特征在于,其中,拼配该水面下太阳光光谱的该些发光峰是由不同波长的多个发光二极管芯片所提供。

4.如权利要求1或2所述的光源模块,其特征在于,其中,拼配该水面下太阳光光谱的该些发光峰是由不同波长的多个发光二极管芯片所提供,以及由至少一发光二极管激发源上的至少一荧光材料层所提供,且该至少一荧光材料层激发后所放出的光是在510nm≦λmax600nm范围内。

5.如权利要求4所述的光源模块,其特征在于,其中,该至少一发光二极管激发源所放出的激发光是在200nm≦λmax≦490nm范围内。

6.如权利要求4所述的光源模块,其特征在于,其中,该至少一荧光材料层激发后所放出的光还具有620nm至780nm范围内的波段。

7.如权利要求4所述的光源模块,其特征在于,其中,该至少一荧光材料层激发后所放出的光具有0.1≦x≦0.65且0.35≦y≦0.85的CIE1931色坐标。

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