[发明专利]基于高K材料的叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率MOS器件在审
| 申请号： | 201610895773.X | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106571387A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;曹甲军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 材料 algan gan 电子 迁移率 mos 器件 | ||
【权利要求书】：
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