[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201610896371.1 | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN107768401A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 蔡宜修 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板,具有多个像素区域;
多个像素结构,分别对应的设置于该多个像素区域,其中该多个像素结构的每一个像素结构包括:
主动元件,位于该基板上;
光吸收层,位于该主动元件上;
光学匹配层,位于该光吸收层上;
第一透明电极,位于该光学匹配层上;
发光层,位于该第一透明电极上;以及
第二透明电极,位于该发光层上;以及
彩色滤光层;覆盖该多个像素结构且具有多个彩色滤光元件,其中该多个彩色滤光元件对应的设置于该多个像素区域中;
其中该多个像素结构位于该基板与该彩色滤光层之间。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该多个像素区域中每一个像素区域的该发光层所发出光线的颜色与该彩色滤光元件的滤光颜色相同。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该彩色滤光元件包括感光型树酯或热固型树酯。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该彩色滤光层还包括多个黑色矩阵结构。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,其中在该多个像素区域中的每一个像素区域,该彩色滤光元件设置于一发光区域,该黑色矩阵结构则设置于一非发光区域。
6.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,其中该黑色矩阵结构包括感光型树酯或热固型树酯。
7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该光吸收层的折射率与该光学匹配层的折射率满足:
0.008<[(n1-n2)/(n1+n2)]^2<0.8,
其中n1为该光吸收层的折射率,n2为该光学匹配层的折射率。
8.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,其中该光吸收层的折射率小于该光学匹配层的折射率。
9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,其中该光学匹配层的折射率大于或等于1.8。
10.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该光吸收层包括黑色树脂。
11.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该光吸收层包括由不同膜层交互堆叠的多层结构。
12.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该光学匹配层包括由不同膜层交互堆叠的多层结构。
13.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该主动元件包括薄膜晶体管。
14.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
像素定义层,配置于该发光层与该光吸收层之间;
薄膜封装层,配置于该第二透明电极上;
胶材,配置于该薄膜封装层上,其中该薄膜封装层及该胶材位于该第二透明电极及该彩色滤光层之间;以及
盖板,配置于该彩色滤光层上,其中该彩色滤光层位于该胶材及该盖板之间。
15.如权利要求14所述的显示装置,其特征在于,其中该彩色滤光层还包括多个黑色矩阵结构。
16.如权利要求15所述的显示装置,其特征在于,其中在该多个像素区域中的每一个像素区域,该彩色滤光元件设置于一发光区域,该黑色矩阵结构则设置于一非发光区域。
17.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
像素定义层,配置于该发光层与该光吸收层之间;
薄膜封装层,配置于该第二透明电极上;
胶材,配置于该薄膜封装层上,其中该彩色滤光层位于该薄膜封装层及该胶材之间;以及
盖板,配置于该胶材上。
18.如权利要求17所述的显示装置,其特征在于,其中该彩色滤光层还包括多个黑色矩阵结构。
19.如权利要求18所述的显示装置,其特征在于,还包括平坦层,其中该平坦层配置于该薄膜封装层上且位于该薄膜封装层及该彩色滤光层之间。
20.如权利要求19所述的显示装置,其特征在于,其中在该多个像素区域中的每一个像素区域,该彩色滤光元件设置于一发光区域,该黑色矩阵结构则设置于一非发光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的