[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜发电玻璃激光刻划方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒薄膜发电玻璃激光刻划方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1）在玻璃衬底上生长氮化硅阻挡层；

S2）在氮化硅阻挡层上溅射金属背电极；

S3）沿刻划方向分别设置第一激光刻划系统与第二激光刻划系统，构成并排的双激光刻划系统；

S4）启动第一激光刻划系统刻划第一道划线，将金属背电极划开，分隔金属背电极；

S5）在金属背电极上生长PN结层；

S6）启动双激光刻划系统刻划第二道划线，将PN结层划开，提供前后电极相连的通道；第一与第二激光刻划系统同时同步刻划，第一激光刻划系统的重复频率低于第二激光刻划系统的重复频率；

S7）在PN结层上溅射透明导电氧化物薄膜AZO层；

S8）启动双激光刻划系统刻划第三道划线，将透明导电氧化物薄膜AZO层与PN结层划开，形成内部串联结构；第一与第二激光刻划系统同时同步刻划，第一激光刻划系统的重复频率低于第二激光刻划系统的重复频率；第一激光刻划系统刻划掉透明导电氧化物薄膜AZO层，并在PN结层形成100～1000nm凹槽，第二激光刻划系统刻划掉剩余的PN结层。