[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610897750.2 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107799580B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安;陈鲁夫 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/78;H01L29/808 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔媛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
一高压器件，包括：
具有一第一导电型的一漏极区，位于具有一第二导电型的一基底中；
具有所述第一导电型的一源极区，位于所述基底中，位于所述漏极区周围；
一栅极结构，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底上；以及
具有所述第二导电型的一第一顶层掺杂区，位于所述漏极区与所述栅极结构之间的所述基底中，所述第一顶层掺杂区具有一第一掺质浓度梯度，所述第一顶层掺杂区接近所述栅极结构处的所述第一掺质浓度梯度与接近所述漏极区处的所述第一掺质浓度梯度不同；以及
一接面场效晶体管，嵌入所述高压器件中，包括：
具有所述第一导电型的一阱，位于所述基底中；以及
具有所述第二导电型的一第二顶层掺杂区，位于所述阱中；
所述半导体器件还包括具有所述第二导电型的一高压阱位于所述基底中，所述高压阱环绕所述高压器件与所述接面场效晶体管。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二顶层掺杂区具有一第二掺质浓度梯度，所述第二顶层掺杂区的一第一侧的所述第二掺质浓度梯度与一第二侧的所述第二掺质浓度梯度实质上相同。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二顶层掺杂区具有一第二掺质浓度梯度，所述第二顶层掺杂区的一第一侧的所述第二掺质浓度梯度与一第二侧的所述第二掺质浓度梯度不同，其中所述第二侧较所述第一侧接近所述第一顶层掺杂区。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺质浓度梯度自接近所述栅极结构处至接近所述漏极区处渐减。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺质浓度梯度自接近所述第一侧处至接近所述第二侧处渐减。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阱延伸至所述第一顶层掺杂区与所述漏极区的下方。
7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
一基底，具有一高压器件区、一低压器件区、一终端区以及一隔离区，其中所述终端区位于所述高压器件区与所述低压器件区之间，且环绕所述高压器件；以及
一金属氧化物半导体场效应晶体管，其包括：
具有一第一导电型的一漏极区，位于接近所述隔离区的所述基底中，其中所述隔离区位于所述漏极区与所述高压器件区之间；
具有所述第一导电型的一源极区，位于接近所述低压器件区的所述基底中；
一栅极结构，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底上；以及
具有一第二导电型的一顶层掺杂区，位于所述漏极区与所述栅极结构之间的所述基底中，所述顶层掺杂区具有一掺质浓度梯度，所述顶层掺杂区接近所述栅极结构处的所述掺质浓度梯度与接近所述漏极区处的所述掺质浓度梯度不同。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述掺质浓度梯度自接近所述栅极结构处至接近所述漏极区处渐减。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述顶层掺杂区具有一掺杂深度，所述掺杂深度自接近所述栅极结构处至接近所述漏极区处渐减。
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