[发明专利]旁热式微传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种旁热式微传感器，其特征在于，所述旁热式微传感器包括：

衬底，所述衬底内形成有凹槽；

焊盘，位于所述凹槽外围的所述衬底表面；

旁热式微传感器主体，位于所述凹槽的上方，且与所述凹槽的底部相隔一定间距；所述旁热式微传感器主体包括：主体支撑层、旁式加热元件、第一绝缘层及敏感电极，所述旁式加热元件及所述敏感电极位于所述主体支撑层表面，且所述旁式加热元件位于所述敏感电极的外侧，所述第一绝缘层位于所述旁式加热元件表面；

支撑梁，位于所述衬底及所述旁热式微传感器主体之间，适于将所述旁热式微传感器主体固支于所述衬底上；

疏水疏油层，位于所述第一绝缘层表面、裸露的所述主体支撑层表面、裸露的所述衬底表面及所述支撑梁表面。

2.根据权利要求1所述的旁热式微传感器，其特征在于：所述衬底包括衬底主体及绝缘支撑层，所述绝缘支撑层位于所述凹槽外围的所述衬底主体表面，所述焊盘位于所述绝缘支撑层表面。

3.根据权利要求2所述的旁热式微传感器，其特征在于：所述主体支撑层、所述支撑梁及所述绝缘支撑层为一体化结构。

4.根据权利要求1所述的旁热式微传感器，其特征在于：所述旁式加热元件为金属加热元件。

5.根据权利要求1所述的旁热式微传感器，其特征在于：所述旁式加热元件包括：

掺杂多晶硅层，位于所述主体支撑层表面；

第二绝缘层，覆盖于所述掺杂多晶硅层表面，所述第二绝缘层内形成有开口，所述开口暴露出所述掺杂多晶硅层；

引出金属层，填充于所述开口内并覆盖于所述第二绝缘层表面。

6.根据权利要求1所述的旁热式微传感器，其特征在于：所述疏水疏油层的材料为含氟材料、氯硅烷或硅氧烷。

7.一种旁热式微传感器，其特征在于，所述旁热式微传感器包括：

衬底，所述衬底内形成有凹槽；

焊盘，位于所述凹槽外围的所述衬底表面；

旁热式微传感器主体，位于所述凹槽的上方，且与所述凹槽的底部相隔一定间距；所述旁热式微传感器主体包括：主体支撑层、旁式加热元件、第一绝缘层及敏感电极，所述旁式加热元件及所述敏感电极位于所述主体支撑层表面，且所述旁式加热元件位于所述敏感电极的外侧，所述第一绝缘层位于所述旁式加热元件表面；

支撑梁，位于所述衬底及所述旁热式微传感器主体之间，适于将所述旁热式微传感器主体固支于所述衬底上；

敏感材料层，所述敏感材料层位于所述敏感电极表面。

8.根据权利要求7所述的旁热式微传感器，其特征在于：所述衬底包括衬底主体及绝缘支撑层，所述绝缘支撑层位于所述凹槽外围的所述衬底主体表面，所述焊盘位于所述绝缘支撑层表面。

9.根据权利要求8所述的旁热式微传感器，其特征在于：所述主体支撑层、所述支撑梁及所述绝缘支撑层为一体化结构。

10.根据权利要求7所述的旁热式微传感器，其特征在于：所述旁式加热元件为金属加热元件。

11.根据权利要求7所述的旁热式微传感器，其特征在于：所述旁式加热元件包括：

掺杂多晶硅层，位于所述主体支撑层表面；

第二绝缘层，覆盖于所述掺杂多晶硅层表面，所述第二绝缘层内形成有开口，所述开口暴露出所述掺杂多晶硅层；

引出金属层，填充于所述开口内并覆盖于所述第二绝缘层表面。

12.一种旁热式微传感器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

1)提供衬底；

2)在所述衬底表面制作旁式加热元件、敏感电极及焊盘，所述旁式加热元件位于所述敏感电极外侧，所述焊盘位于所述旁式加热元件外侧，与所述旁式加热元件相隔一定间距，且所述焊盘分别与所述敏感电极及所述加热元件相连；

3)在所述敏感电极及所述焊盘表面形成金属保护层；

4)刻蚀所述衬底以释放旁热式微传感器主体，所述旁热式微传感器主体包括所述旁式加热元件、所述敏感电极及位于所述旁式加热元件、所述敏感电极下方的所述衬底；

5)在步骤4)得到的结构表面形成疏水疏油层；

6)去除位于所述金属保护层表面的疏水疏油层及所述金属保护层。