[发明专利]一种功率MOS器件温升和热阻构成测试装置和方法有效
| 申请号： | 201610900251.4 | 申请日： | 2016-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN106443401B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 冯士维;石帮兵;史冬;何鑫;张亚民 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 11203 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mos 器件 构成 测试 装置 方法 | ||
【说明书】：
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