[发明专利]形成互连线的方法及制造使用互连线的磁存储器件的方法

权利要求书

1.一种形成互连线的方法，包括：

在衬底上的绝缘层上形成导电层；

图案化所述导电层以形成导电图案；以及

在所述导电图案上执行清洁工艺，

其中形成所述导电图案包括使用含氯气体作为源气体在所述导电层上执行蚀刻工艺；

其中所述清洁工艺被执行以去除留在所述导电图案上的氯源，所述清洁工艺使用具有第一气体和第二气体的气体混合物执行，其中所述第一气体包括氢元素(H)，以及所述第二气体包括与所述氢元素反应的源气体；以及

其中在至少一些来自所述第一气体的所述氢元素与留在所述导电图案上的氯源反应以形成氢氯酸(HCl)同时，其余来自所述第一气体的所述氢元素与所述第二气体的源气体反应。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体中的所述氢元素(H)的浓度高于所述第二气体中的氢元素(H)的浓度。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体是水汽。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体是不同于所述第二气体的气体。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二气体是氧气(O₂)或氮气(N₂)中的至少一种的源气体。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁工艺是等离子体处理工艺，其中所述第一气体和所述第二气体的所述气体混合物被用作等离子体源。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述导电层由含铝材料形成。

8.如权利要求1所述的方法，其中其余来自所述第一气体的所述氢与所述第二气体的源气体的至少一种反应。

9.一种形成互连线的方法，包括：

在衬底上的绝缘层上形成导电层；

图案化所述导电层以形成导电图案；以及

在所述导电图案上执行等离子体处理工艺，

其中形成所述导电图案包括使用含氯气体作为源气体在所述导电层上执行蚀刻工艺；

其中所述等离子体处理工艺被执行以去除留在所述导电图案上的氯源，所述等离子体处理工艺使用具有第一气体和第二气体的气体混合物作为等离子体源而执行，其中所述第一气体包括氢元素(H)，以及所述第二气体包括不同于所述第一气体的源气体；以及

其中在至少一些来自所述第一气体的所述氢元素与留在所述导电图案上的氯源反应以形成氢氯酸(HCl)同时，其余来自所述第一气体的所述氢元素与所述第二气体的源气体反应。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一气体是水汽。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述第二气体是氧气(O₂)或氮气(N₂)中的至少一种的源气体。

12.一种制造磁存储器件的方法，包括：

在衬底上形成磁性隧道结图案；

在所述衬底上形成层间绝缘层以覆盖所述磁性隧道结图案；

在所述层间绝缘层上形成导电层；

图案化所述导电层以形成电连接到所述磁性隧道结图案的互连图案；以及

在所述互连图案上执行清洁工艺，

其中形成所述互连图案包括使用含氯气体作为源气体在所述导电层上执行蚀刻工艺；

其中所述清洁工艺被执行以去除留在所述互连图案上的氯源，所述清洁工艺使用第一气体和第二气体的气体混合物执行，

所述第一气体包含氢元素(H)，以及

所述第二气体包含不同于所述第一气体的材料；以及

其中在至少一些来自所述第一气体的所述氢元素与留在所述互连图案上的氯源反应以形成氢氯酸(HCl)同时，其余来自所述第一气体的所述氢元素与所述第二气体反应。