[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明实施例是揭露一种关于半导体装置的制造方法，且特别是关于一种通过调变源极/漏极间距离而提升输入/输出装置可靠性的方法。

背景技术

为了追求更高的装置密度、更佳的效能及更低的成本，半导体产业已进入纳米等级技术。随着此项进展，来自制造与设计两方面的挑战导致了三维结构的设计，例如：鳍式场效晶体管(FinFET)装置。一典型的鳍式场效晶体管装置具有从基板延伸出来的一薄“鳍片”(或类似鳍状结构)。此鳍片通常含有硅并形成晶体管装置本体。晶体管的通道形成于此直立的鳍片内。栅极形成于鳍片之上并沿着鳍片的侧边(即包裹着鳍片)，此种栅极型态更能有效的控制通道。其他有关鳍式场效晶体管装置的优点还包含了减少短通道效应(short channel effect)以及具有更高的电流。

然而，传统的鳍式场效晶体管装置仍然存在一些缺点。例如，输入/输出用的鳍式场效晶体管装置的源极/漏极间距离大致与核心鳍式场效晶体管装置的源极/漏极间距离一样。如此一来会造成一些可靠性问题，例如崩溃电压(breakdown voltage)，热流载子注入(hot carrier injection)或漏电流(leakage current)。

因此，尽管现有的鳍式场效晶体管装置以及其制造方法虽然大致已经满足了此领域可预期的目的，却无法在各方面令人满意。

发明内容

依据本发明实施例的一方面是提供一种半导体装置，包含一第一鳍式场效晶体管装置及一第二鳍式场效晶体管装置。该第一鳍式场效晶体管装置包含一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，其中该第一鳍式场效晶体管装置具有一源极/漏极间第一距离。该第二鳍式场效晶体管装置包含一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极，其中该第二鳍式场效晶体管装置具有不同于该源极/漏极间第一距离的一源极/漏极间第二距离。

附图说明

为让本发明实施例的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，在阅读下述的说明书时请参照所附附图。值得注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并非按比例绘制。事实上为清楚说明，这些特征的尺寸可任意放大或缩小。

图1绘示本发明实施例中，一鳍式场效晶体管装置的透视图；

图2-15、图17-30及图32-44绘示本发明实施例中，一鳍式场效晶体管装置于各制造阶段的三维透视图；

图16、图31及图45-48绘示本发明实施例中，一鳍式场效晶体管装置不同的剖面侧视图；

图49-50绘示本发明实施例中，制造一鳍式场效晶体管装置的诸方法的流程图。

具体实施方式

以下的说明将提供许多不同的实施方式或实施例来实施本揭露的主题。元件或排列的具体范例将在以下讨论以简化本揭露。当然，这些描述仅为部分范例且本揭露并不以此为限。例如，将第一特征是形成在第二特征上或上方，此一叙述不但包含第一特征和第二特征直接接触的实施方式，也包含其他特征形成在第一特征与第二特征之间，且在此情形下第一特征和第二特征不会直接接触的实施方式。此外，本揭露可能会在不同的范例中重复标号或文字。重复的目的是为了简化及明确叙述，而非界定所讨论的不同实施方式及配置间的关系。此外，为了简化及明确叙述，附图中各种特征的尺寸可任意地绘制。

除此之外，空间相对用语如“下面”、“下方”、“低于”、“上面”、“上方”及其他类似的用语，在此是为了方便描述图中的一个元件或特征和另一个元件或特征的关系。空间相对用语除了涵盖图中所描绘的方位外，该用语更涵盖装置在使用或操作时的其他方位。也就是说，当该装置的方位与附图不同(旋转90度或在其他方位)时，在本揭露中所使用的空间相对用语同样可相应地进行解释。

本发明实施例是揭露关于一种鳍式场效晶体管(FinFET)装置，但不以此为限。例如，该FinFET装置可以为一种互补式金属氧化半导体(CMOS)，其中包含P型金属氧化半导体(PMOS)鳍式场效晶体管装置以及N型金属氧化半导体(NMOS)鳍式场效晶体管装置。下面将以一个或一个以上的FinFET的实施例揭露本发明的各种实施方式。然而，可以理解的是，该应用不限于特定形式的装置，除非是于明确要求保护的状态下。