[发明专利]半导体芯片及其制造方法

说明书

提供了半导体芯片及其制造方法。可以提供一种半导体芯片，该半导体芯片包括：半导体器件层，包括焊盘区域和单元区域；多条最上布线，形成在半导体器件层上并以相等的距离布置在单元区域中；钝化层，形成在单元区域和焊盘区域中；多个热凸起，设置在钝化层上以与所述多条最上布线电绝缘。所述半导体器件层可以包括位于焊盘区域中的多个硅通孔(TSV)结构。所述多条最上布线可以沿一个方向平行延伸并具有相同的宽度。所述钝化层可以至少覆盖单元区域中的所述多条最上布线的顶表面并包括具有波浪形状的顶表面。

本申请要求于2015年12月9日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0175349号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及半导体芯片、包括所述半导体芯片的半导体封装件和/或制造所述半导体芯片的方法，更具体地讲，涉及具有硅通孔(TSV)结构的半导体芯片、包括所述半导体芯片的半导体封装件和/或制造具有TSV结构的半导体芯片的方法。

背景技术

随着电子工业的迅速发展和用户需求的提高，电子装置正在变得越来越小型化和轻量化。除了小型化和轻量化之外，应用于电子装置的半导体封装件还应该具有相对高的性能和相对大的容量。为实现这样的目标，正在对具有TSV结构的半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装件进行不断地研究和开发。

发明内容

发明构思提供了半导体芯片、包括该半导体芯片的半导体封装件和/或制造该半导体芯片的方法，除了小型化和轻量化之外，还实现了相对高的性能和相对大的容量。

根据发明构思的示例实施例，一种半导体芯片包括：半导体器件层，包括焊盘区域和单元区域，半导体器件层包括位于焊盘区域中的多个硅通孔(TSV)结构；多条最上布线，位于半导体器件层上，所述多条最上布线以相等的距离布置在单元区域中，所述多条最上布线具有相同的宽度并且沿一个方向平行延伸；钝化层，位于单元区域和焊盘区域中，钝化层至少覆盖单元区域中的所述多条最上布线的顶表面，钝化层的位于单元区域中的顶表面具有波浪形状；多个热凸起，位于钝化层上，所述多个热凸起与所述多条最上布线电绝缘。

根据发明构思的示例实施例，一种半导体封装件包括：封装基底和顺序地堆叠在封装基底上的多个半导体芯片，所述多个半导体芯片中的每个包括焊盘区域和单元区域，其中，所述多个半导体芯片中的每个包括：半导体器件层，包括位于焊盘区域中的多个硅通孔(TSV)结构；多条最上布线，位于半导体器件层上，所述多条最上布线以相等的距离布置在单元区域中，所述多条最上布线具有相同的宽度并且沿一个方向平行延伸；多个焊盘，位于半导体器件层上，所述多个焊盘连接到位于焊盘区域中的所述多个TSV结构；钝化层，包括凸起孔，所述凸起孔暴露所述多个焊盘中的每个焊盘的顶表面的一部分，所述钝化层至少覆盖位于单元区域中的所述多条最上布线的顶表面；多个热凸起，位于单元区域中的钝化层上，所述多个热凸起与所述多条最上布线电绝缘；多个信号凸起，位于焊盘区域中的钝化层上，所述多个信号凸起通过凸起孔电连接到所述多个焊盘。

根据发明构思的示例实施例，一种制造半导体芯片的方法包括：制备包括焊盘区域和单元区域的半导体器件层，半导体器件层包括位于焊盘区域中的多个硅通孔(TSV)结构；在半导体器件层上形成多条最上布线，使得所述多条最上布线在单元区域中以相等的距离布置，所述多条最上布线沿一个方向平行延伸并且具有相同的宽度；在焊盘区域中形成多个焊盘，使得所述多个焊盘连接到位于焊盘区域中的所述多个TSV结构；形成钝化层以覆盖所述多个焊盘中的每个焊盘的顶表面的至少一部分和位于单元区域中的所述多条最上布线，钝化层包括具有台阶高度的顶表面；在钝化层上形成掩模图案，使得掩模图案暴露所述多个焊盘中的每个焊盘的顶表面的所述至少一部分和钝化层的一部分；在由掩模图案暴露的所述多个焊盘中的每个焊盘的顶表面的所述至少一部分和钝化层的所述部分上，形成柱层和初始焊料层。