[发明专利]晶圆级封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装件，该晶圆级封装件包括：

第一屏蔽层，所述第一屏蔽层覆盖保护晶圆的第一表面；

半导体管芯，所述半导体管芯被安装在所述第一屏蔽层上；

第一介电层，所述第一介电层覆盖所述半导体管芯并且具有顶表面和侧壁；

第二介电层，所述第二介电层覆盖所述第一介电层的所述顶表面和所述侧壁；

第二屏蔽层，所述第二屏蔽层被设置在所述第一介电层的所述侧壁与所述第二介电层之间，以覆盖所述第一介电层的所述侧壁；

再分配线，所述再分配线被设置在所述第一介电层的所述顶表面与所述第二介电层之间，并且穿过贯穿所述第一介电层的第一开口部电连接到所述半导体管芯；以及

外部连接件，所述外部连接件被设置在所述第二介电层上，并且穿过贯穿所述第二介电层的第二开口部电连接到所述再分配线。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装件，该晶圆级封装件还包括对准标记，所述对准标记被设置在所述保护晶圆的所述第一表面处。

3.根据权利要求1所述的晶圆级封装件，其中，所述第一介电层的所述顶表面是平坦表面。

4.根据权利要求3所述的晶圆级封装件，其中，所述第一介电层的平坦顶表面被配置为使得抗蚀剂图案能够形成有精细的节距并且基本上没有图案失真。

5.根据权利要求1所述的晶圆级封装件，其中，所述第二介电层的所述顶表面是平坦表面。

6.根据权利要求1所述的晶圆级封装件，其中，所述第一介电层和所述第二介电层是感光介电层。

7.根据权利要求1所述的晶圆级封装件，其中，所述第二屏蔽层延伸至与所述第一屏蔽层的一部分交叠。

8.根据权利要求1所述的晶圆级封装件，其中，所述第二屏蔽层与覆盖所述保护晶圆的所述第一表面的所述第一屏蔽层电连接。

9.根据权利要求1所述的晶圆级封装件，该晶圆级封装件还包括；

粘合层，所述粘合层位于所述半导体管芯与所述第一屏蔽层之间。

10.一种制造晶圆级封装件的方法，该方法包括以下步骤：

在保护晶圆的第一表面上形成第一屏蔽层；

在所述第一屏蔽层上并排地安装半导体管芯；

使用层压工序来将第一感光介电膜附接到所述第一屏蔽层和所述半导体管芯，以形成第一感光介电层；

对所述第一感光介电层进行构图，以形成使所述半导体管芯中的每一个的一部分暴露的开口部以及使所述第一屏蔽层的一部分暴露的沟槽；

形成覆盖所述沟槽的侧壁的第二屏蔽层以及再分配线，所述再分配线被设置在所述第一感光介电层的顶表面上并且穿过所述开口部电连接到所述半导体管芯；

形成覆盖所述再分配线和所述第二屏蔽层的第二感光介电层；以及

在所述第二感光介电层上形成外部连接件，

其中，所述外部连接件延伸到所述第二感光介电层中以电连接到所述再分配线。