[发明专利]一种以绝缘基片为衬底的碳-铝-碳半导体薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610902726.3 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106505046B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘云杰;郝兰众;韩治德;薛庆忠 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L21/02;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18 |
| 代理公司： | 青岛智地领创专利代理有限公司 37252 | 代理人： | 毛胜昔 |
| 地址： | 266580 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 衬底 半导体 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国石油大学（华东），未经中国石油大学（华东）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610902726.3/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
