[发明专利]功率放大电路

说明书

技术领域

本发明涉及功率放大电路。

背景技术

近年来，伴随以通信和雷达为代表的无线技术的应用增加，频率在迅速地紧迫。作为用于缓和频率紧迫的一个解决方案，例如有利用毫米波频段。在无线装置中，已在开始毫米波频段的利用。例如，60GHz频段利用于毫米波通信，79GHz频段利用于毫米波雷达。因此，在期待更高的频率即超100GHz的频段的有效利用。使用了超100GHz的频段的无线装置比以往的使用毫米波频段的无线装置可占有宽频带。因此，即使在能够实现更高速的通信和高分辨率的雷达这样的观点来看，使用了超100GHz的频段的无线装置也引人注目。因此，预期以超100GHz动作的无线IC今后将广为普及。

在研发以超100GHz可动作的无线IC时，无线IC的构成要素即功率放大电路，例如，在输入电路或输出电路单元中，使用电感器等的无源元件。电感器的性能以所谓的Q值指标表示。为了功率放大电路的增益提高，功率放大电路被要求较高的Q值的电感器。作为使Q值提高的结构，非专利文献1中公开的结构已众所周知。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：“Q-enhanced 1.9GHz tuned CMOS RF amplifier”IET Electronics Letters，VOL.32，Issue：5，Feb 1996

发明内容

可是，要在超100GHz的频带中使Q值提高，在上述非专利文献1所公开的结构中并不足够。

本发明的一方式提供使Q值提高、能够提高功率增益的功率放大电路。

本发明的一方式的功率放大电路包括：进行输入信号的功率放大的N(N为2以上的整数)个功率放大电路核；连接到所述N个功率放大电路核的N个电感器；以及生成用于补偿所述N个电感器的功率损耗的跨导(gm)的环形振荡器型gm生成电路。

根据本发明的一方式，使Q值提高，能够提高功率增益。

从说明书和附图中将清楚本发明的一方式中的更多的优点和效果。这些优点和/或效果可以由几个实施方式和说明书及附图所记载的特征来分别提供，不必为了获得一个或一个以上的特征而提供全部特征。

附图说明

图1表示以往的功率放大电路的结构。

图2表示装载了以往的Q值补偿电路的功率放大电路的结构。

图3表示本发明的实施方式1的功率放大电路的结构例子。

图4表示本发明的实施方式1的输出电路核的第1结构例子。

图5表示本发明的实施方式1的输出电路核的第2结构例子。

图6表示本发明的实施方式1的gm生成电路核的第1结构例子。

图7表示本发明的实施方式1的gm生成电路核的第2结构例子。

图8表示本发明的实施方式1的gm生成电路核的第3结构例子。

图9表示本发明的实施方式1的gm生成电路核的第4结构例子。

图10表示本发明的实施方式2的功率放大电路的结构例子。

图11表示本发明的实施方式3的功率放大电路的结构例子。

具体实施方式

(完成本发明的经过)

首先，说明完成本发明的经过。本发明涉及在超过100GHz的频带中动作的功率放大电路。

无线IC以半导体作为材料来制造，作为无线IC的制造方法之一有CMOS工艺。用CMOS工艺制造的晶体管(无线IC)与用其它工艺制造的晶体管比较，无线频率性能差，难以在无线频率中得到功率增益，但另一方面，集成度高，适宜小型化及低成本。而且，以微细CMOS工艺制造的晶体管理论上甚至超100GHz也可动作。因此，使用CMOS工艺，以超100GHz可动作的无线IC的研发令人期待。

在研发以超100GHz可动作的无线IC时，即使为了设计无线IC的构成要素即功率放大电路而使用微细CMOS工艺，用于实现超100GHz的动作的设计余量也较小。因此，为了即使受到PVT(Process，Voltage，and Temperature；工艺、电压及温度)偏差等造成的特性劣化的影响也使无线IC稳定地工作，需要功率放大电路的高增益技术的研发。