[发明专利]微电子机械系统封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种微电子机械系统(MEMS)封装件，包括：

互补金属氧化物半导体衬底，具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件；

微电子机械系统结构，连接至所述互补金属氧化物半导体衬底并且包括微电子机械系统(MEMS)器件，其中，邻接所述微电子机械系统器件的密封室布置在所述互补金属氧化物半导体衬底和所述微电子机械系统结构之间；以及

加热元件，电连接至所述一个或多个半导体器件并且通过沿着所述密封室的内表面布置的排气层与所述密封室分隔开，所述排气层包括来自蚀刻工艺或平坦化工艺的残留物。

2.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，在所述加热元件产生热量的操作期间，所述排气层配置为向所述密封室释放气体。

3.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，所述微电子机械系统结构包括：

微电子机械系统衬底，包括邻接所述密封室的可移动元件；以及

覆盖衬底，包括设置在邻接所述微电子机械系统衬底的表面内的凹陷部分，所述凹陷部分形成所述密封室的上表面。

4.根据权利要求3所述的微电子机械系统封装件，还包括：

接合层，布置在所述微电子机械系统衬底和所述覆盖衬底之间，其中，所述覆盖衬底包括沿着所述密封室的横向表面并且沿着所述密封室的侧壁连续地延伸至邻接所述接合层的位置的半导体材料。

5.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，所述加热元件接触所述排气层，所述排气层包括具有一个或多个金属互连层的介电结构。

6.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，所述加热元件布置在所述排气层内。

7.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，所述加热元件包括多晶硅电阻器、薄膜电阻器或厚膜电阻器。

8.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，还包括：

第二密封室，在布置在所述微电子机械系统结构和所述互补金属氧化物半导体衬底之间的从所述密封室横向偏移的位置处，其中，所述密封室保持在第一压力下并且所述第二密封室保持在不同于所述第一压力的第二压力下。

9.根据权利要求8所述的微电子机械系统封装件，其中，与所述第二密封室相比，所述加热元件更靠近所述密封室。

10.根据权利要求1所述的微电子机械系统封装件，其中，所述残留物沿着位于所述加热元件和所述密封室之间的所述密封室的所述内表面布置。

11.一种微电子机械系统(MEMS)封装件，包括：

互补金属氧化物半导体衬底，包括具有一个或多个半导体器件的半导体主体以及具有一个或多个金属互连层和第一凹陷部分的上面的介电结构；

覆盖衬底，布置在所述互补金属氧化物半导体衬底上方并且包括第二凹陷部分，所述第二凹陷部分与所述第一凹陷部分一起形成布置在所述覆盖衬底和所述互补金属氧化物半导体衬底之间的密封室；

微电子机械系统衬底，布置在所述覆盖衬底和所述互补金属氧化物半导体衬底之间并且包括位于所述密封室内的可移动元件；以及

加热元件，电连接至所述一个或多个半导体器件并且布置在所述介电结构内的与所述密封室热连通的位置处，所述加热元件通过所述介电结构和残留物与所述密封室分隔开，所述残留物来自蚀刻工艺或平坦化工艺，所述加热元件的热量配置为使得所述残留物释放气体。

12.根据权利要求11所述的微电子机械系统封装件，其中，在所述加热元件产生热量的操作期间，所述介电结构配置为向所述密封室释放气体。

13.根据权利要求11所述的微电子机械系统封装件，其中，所述加热元件没有通过所述一个或多个金属互连层与所述密封室横向分隔开。