[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610905679.8 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106960837A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王垂堂;陈颉彦;汤子君;余振华;杨青峰;刘明凯;王彦评;吴凯强;张守仁;林韦廷;吕俊麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体管芯；
绝缘层，围绕所述半导体管芯；
后钝化互连件(PPI)，位于所述绝缘层和第一半导体管芯上方；
导电部件，位于所述绝缘层的边缘中并且延伸穿过所述绝缘层，其中，所述导电部件包括从所述绝缘层暴露的表面；
EMI(电磁干扰)屏蔽罩，基本覆盖所述绝缘层的边缘并且与所述导电部件的暴露的表面接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电部件沿着与所述半导体管芯的厚度平行的方向延伸穿过所述绝缘层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述导电部件包括凹进部分，并且所述凹进部分从所述导电部件的暴露的表面开始并且朝向所述半导体管芯凹进。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述凹进部分包括内表面，并且所述内表面与所述绝缘层隔离。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述导电部件还包括连接至所述凹进部分的延伸部分，并且所述延伸部分比所述凹进部分更远离所述暴露的表面延伸。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述导电部件还包括连接至所述凹进部分的延伸部分，并且所述延伸部分比所述凹进部分更远离所述暴露的表面延伸，所述延伸部分包括在不同的径向方向上分别延伸的至少两个分支。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电部件配置为连接至地。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述PPI上方的电子组件，其中，所述电子组件通过所述PPI电连接至所述半导体管芯。
9.一种3D(三维)半导体封装件，包括：
模制构造，包括：
第一和第二半导体管芯或组件，在一方向上堆叠；
互连件，介于所述第一和第二半导体管芯或组件之间；
绝缘层，围绕所述第一半导体管芯或组件；
导电支柱，与所述互连件、所述第一和第二半导体管芯或组件中的至少一个电通信；以及
导电部件，与所述导电支柱沿着所述堆叠方向延伸并且延伸穿过所述绝缘层，其中，所述导电部件包括在与所述堆叠方向垂直的方向上从所述绝缘层暴露的表面，并且所述导电部件配置为与地连接；
EMI屏蔽罩，覆盖所述模制构造的外表面并且与所述导电部件的暴露的表面接触。
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供衬底；
将多个半导体管芯设置在所述衬底上方；
在划线区域周围形成伪导电图案，由此围绕所述多个半导体管芯的每一个半导体管芯并且分开所述多个半导体管芯的每一个管芯；以及
通过切割所述划线区域和所述伪导电图案的一部分进行分割以分离所述多个半导体管芯，由此暴露所述伪导电图案的导电表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610905679.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
